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뒤틀림 현상이 개선된 멤스형 적외선 센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015095581
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 지지팔 구조를 갖는 적외선 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 종래 기술에 따른 2차원 구조의 지지팔을 개량한 3차원 구조의 지지팔을 갖는 적외선 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 멤스형 적외선 센서 제조 방법은, 판독회로 및 흡수구조 형성을 위한 반사층을 포함하는 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판상에 희생층을 형성하는 단계와, 상기 희생층에 요철단면을 갖는 지지팔 구조체를 형성하는 단계와, 상기 지지팔 구조체에 의해 상기 기판과 격리되는 센서부를 형성하는 단계와, 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함한다. 멤스, 적외선 센서, 볼로미터
Int. CL H01L 31/101 (2006.01) H01L 31/09 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070130698 (2007.12.14)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0930590-0000 (2009.12.01)
공개번호/일자 10-2009-0063371 (2009.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20091209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.14)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조성목 대한민국 대전 유성구
2 류호준 대한민국 서울 노원구
3 양우석 대한민국 대전 서구
4 전상훈 대한민국 대전 유성구
5 유병곤 대한민국 대전 유성구
6 최창억 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0899623-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0072189-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0215286-87
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.07.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0432235-02
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0432205-32
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0490682-82
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
멤스형 적외선 센서를 제조하는 방법에 있어서, (a) 판독회로 및 흡수구조 형성을 위한 반사층을 포함하는 기판을 제공하는 단계와, (b) 상기 기판상에 희생층을 형성하는 단계와, (c) 상기 희생층에 단차를 형성하고, 상기 희생층 전면에 하부 보호막을 증착함으로써 상기 희생층에 요철단면을 갖는 지지팔을 형성하는 단계와, (d) 상기 하부 보호막 위에 전극을 형성하고, 상기 희생층 전면에 센서 재료를 증착하고, 상기 희생층 전면에 상부 보호막을 증착함으로써 상기 지지팔에 의해 상기 기판과 격리되는 센서부를 형성하는 단계와, (e) 상기 희생층을 제거하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는, 멤스형 적외선 센서 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (c) 단계는, 상기 희생층에 단차를 형성한 이후에 상기 기판과 상기 기판의 상부 구조체 사이의 지지대 역할을 하는 엥커를 상기 단차의 하단면에 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 멤스형 적외선 센서 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 (e) 단계는, 상기 상부 보호막을 패터닝하여 식각물질의 통로를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 멤스형 적외선 센서 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 전극을 형성하기 이전에, 상기 판독회로와의 전기적 배선을 위한 컨택 홀을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 멤스형 적외선 센서 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 단차는 양각 또는 음각으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 멤스형 적외선 센서 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 단차의 깊이는 0
8 8
제1항에 있어서, 상기 하부 보호막은 화학기상증착(CVD) 방법으로 증착되는 것을 특징으로 하는, 멤스형 적외선 센서 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 하부 보호막 및 상기 상부 보호막 각각은 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는, 멤스형 적외선 센서 제조 방법
10 10
멤스형 적외선 센서에 있어서, 판독회로 및 흡수구조 형성을 위한 반사층을 포함하는 기판과, 상기 기판상에 형성되며 요철단면을 갖는 지지팔 -상기 지지팔은 상기 기판상에 희생층을 형성하고, 상기 희생층에 단차를 형성하고, 상기 희생층 전면에 하부 보호막을 증착함으로써 형성됨- 과, 상기 지지팔에 의해 상기 기판과 격리되는 센서부 -상기 센서부는 상기 하부 보호막 위에 전극을 형성하고, 상기 희생층 전면에 센서 재료를 증착하고, 상기 희생층 전면에 상부 보호막을 증착함으로써 형성됨- 를 포함하는 것을 특징으로 하는, 멤스형 적외선 센서
11 11
제10항에 있어서, 상기 단차의 하단면에 패터닝되며, 상기 기판과 상기 기판의 상부 구조체 사이의 지지대 역할을 하는 엥커를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 멤스형 적외선 센서
12 12
삭제
13 13
제10항에 있어서, 상기 하부 보호막에는 상기 판독회로와의 전기적 배선을 위한 컨택 홀이 형성된 것을 특징으로 하는, 멤스형 적외선 센서
14 14
제10항에 있어서, 상기 단차는 양각 또는 음각으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 멤스형 적외선 센서
15 15
제10항에 있어서, 상기 단차의 깊이는 0
16 16
제10항에 있어서, 상기 하부 보호막 및 상기 상부 보호막 각각은 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는, 멤스형 적외선 센서
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2 US7884328 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스용 CMOS 기반 MEMS 복합센서 기술개발