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간격을 두고 서로 대향 배치되는 상부 기판 및 하부 기판;
상기 상부 기판 상에 형성된 아노드 전극 및 형광층;
상기 하부 기판 상에 형성된 캐소드 전극;
상기 캐소드 전극 상에 서로 간격을 두고 형성된 다수의 전계 에미터; 및
상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 위치하여 상기 전계 에미터로부터 전자 방출을 유도하며, 상기 방출된 전자가 통과할 수 있는 개구부가 형성된 금속 게이트 기판
을 포함하되,
상기 게이트 기판의 적어도 일면에는 상기 방출된 전자의 충돌로 인한 2차 전자 발생을 가능하게 하는 2차 전자 발생 물질이 코팅되어 있는
전계 방출형 백라이트 유닛
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제 1항에 있어서,
상기 개구부는 상기 다수의 전계 에미터 각각에 대응하는 위치에 형성된
전계 방출형 백라이트 유닛
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3
제 1항에 있어서,
상기 2차 전자 발생 물질은 상기 개구부와 인접한 금속 게이트 기판의 측면에만 코팅되어 있는
전계 방출형 백라이트 유닛
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4
제 1항에 있어서,
상기 2차 전자 발생 물질은 상기 개구부와 인접한 금속 게이트 기판의 측면 및 상기 금속 게이트 기판의 하면에 코팅되어 있는
전계 방출형 백라이트 유닛
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5
제 1항에 있어서,
상기 2차 전자 발생 물질은 상기 개구부와 인접한 금속 게이트 기판의 측면과 상기 금속 게이트 기판의 상면 및 하면에 코팅되어 있는
전계 방출형 백라이트 유닛
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6
제 1항에 있어서,
상기 개구부의 종단면은 사각형, 테이퍼형 또는 역테이퍼형이거나, 역테이퍼형의 상부면과 테이퍼형의 하부면이 결합된 형태인
전계 방출혈 백라이트 유닛
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7
제 1항에 있어서,
상기 2차 전자 발생 물질은 MgO인
전계 방출형 백라이트 유닛
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8
제 1항에 있어서,
상기 상부 기판과 상기 금속 게이트 기판 사이 및 상기 하부 기판과 상기 금속 게이트 기판 사이에 각각 형성된 스페이서
를 더 포함하는 전계 방출형 백라이트 유닛
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9
제 1항에 있어서,
상기 전계 에미터는 카본 나노 튜브, 카본 나노 섬유 및 카본계 합성 물질 중 어느 하나로 이루어진
전계 방출형 백라이트 유닛
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10
제 1항에 있어서,
상기 전계 에미터의 폭은 상기 개구부의 최대 직경보다 큰
전계 방출형 백라이트 유닛
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