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기판과 에피텍셜층으로 구성된 웨이퍼;
상기 에피텍셜층내에 형성되는 바이폴라 트랜지스터;
상기 바이폴라 트랜지스터의 상측면에 형성된 열 흡수층; 및
상기 열흡수층이 미형성된 상기 에피텍셜층의 상측면에 형성된 절연막을 포함하며,
상기 바이폴라 트랜지스터는 상기 열 흡수층을 통해 흡수된 열에 따라 출력값을 가변하고,
상기 기판은 멤브레인 구조를 가지며, 상기 에피텍셜층과 상기 절연막은 컨틸레버 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 기반의 비냉각형 적외선 센서
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제1항에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터는
베이스로 정전압을 인가받고 콜렉터로 정전압을 인가받아, 상기 열 흡수층을 통해 흡수된 열에 따라 상기 콜렉터로 흐르는 전류값을 가변하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 기반의 비냉각형 적외선 센서
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제1항에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터는
베이스로 정전압을 인가받고 콜렉터로 정전류를 인가받아, 상기 열 흡수층을 통해 흡수된 열에 따라 상기 콜렉터에 인가되는 전압값을 가변하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 기반의 비냉각형 적외선 센서
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제1항에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터는
베이스로 정전류를 인가받고 콜렉터로 정전압을 인가받아, 상기 열 흡수층을 통해 흡수된 열에 따라 상기 콜렉터로 흐르는 전류값을 가변하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 기반의 비냉각형 적외선 센서
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제1항에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터는
베이스로 정전류를 인가받고 콜렉터로 정전류를 인가받아, 상기 열 흡수층을 통해 흡수된 열에 따라 상기 콜렉터에 인가되는 전압값을 가변하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 기반의 비냉각형 적외선 센서
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기판과 에피텍셜층으로 구성된 웨이퍼의 하측면을 멤브레인(membrane) 구조로 식각하는 단계;
상기 에피텍셜층내에 바이폴라 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 바이폴라 트랜지스터의 상측면에 메탈배선들을 형성한 후, 상기 메탈 배선을 감싸도록 절연막을 증착하여, 상기 메탈 베선들과 상기 절연막으로 구성되는 열 흡수층을 형성하는 단계; 및
상기 바이폴라 트랜지스터 및 상기 열 흡수층이 미형성된 상기 절연막과 상기 에피텍셜층을 캔틸레버(cantilever) 구조로 식각하는 단계를 포함하는 바이폴라 트랜지스터 기반의 비냉각형 적외선 센서의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터를 형성하는 단계는
상기 에피텍셜층 내에 베이스 영역을 형성하는 단계;
상기 베이스 영역 내에 일정 간격 이격되도록 제1 에미터, 베이스 및 제2 에미터를 각각 형성하는 단계; 및
상기 베이스 영역이 형성되지 않는 상기 에피텍셜층 내에 콜렉터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 기반의 비냉각형 적외선 센서의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 열 흡수층을 형성하는 단계는
상기 베이스, 상기 제1 및 제2 에미터 및 상기 콜렉터 각각과 연결되도록 상기 메탈 배선들을 형성하는 단계; 및
상기 메탈 배선들을 감싸도록 상기 웨이퍼의 상측면에 절연막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 기반의 비냉각형 적외선 센서의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 캔틸레버 구조로 식각하는 단계는
상기 바이폴라 트랜지스터와 상기 열 흡수층이 미형성된 영역을 상기 캔틸레버의 개구부를 정의하는 단계;
상기 캔틸레버의 개구부에 통해 상기 절연막을 식각한 후, 상기 캔틸레버의 두께만큼 상기 에피텍셜층을 식각하는 단계; 및
상기 웨이퍼의 하측면을 통해 상기 에피텍셜층을 식각하여, 상기 절연막, 상기 에피텍셜층 및 상기 기판이 관통되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 기반의 비냉각형 적외선 센서의 제조 방법
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