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홈을 구비한 반도체 기판;상기 반도체 기판 및 상기 홈부에 걸쳐 형성되는 지지대;상기 지지대 상부에 형성되며 압전층을 구비한 구동부;상기 구동부 일측의 지지대 상에 형성되며 상기 구동부의 압전층의 변화에 따라 높이가 변화되는 스위칭부;상기 스위칭부 상부에 일정 거리를 두고 배치되며, 소정 간격을 가지고 단절되어 있는 RF 전송선을 포함하며, 상기 구동부는 일측단부가 연결된 적어도 2개의 컨틸레버를 갖도록 구성되는 압전형 MEMS 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 지지대는 절연막인 것을 특징으로 하는 압전형 MEMS 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 구동부는,상기 지지대 상부에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상부에 형성되는 압전층;상기 압전층 상부에 형성되는 상부 전극; 및상기 상부 전극 상에 형성되는 접촉부을 구비하는 압전형 MEMS 스위치
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제 3 항에 있어서, 상기 구동부의 양 가장자리에 위치하는 컨틸레버간의 간격은 상기 스위칭부의 길이만큼 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 압전형 MEMS 스위치
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제 4 항에 있어서, 상기 스위칭부는,상기 지지대 상부에 배치되는 접촉 연결부; 및상기 접촉 연결부의 상부의 소정 부분에 형성되는 접촉부를 포함하는 압전형 MEMS 스위치
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제 5 항에 있어서, 상기 접촉 연결부는 구동부의 하부 전극과 동일한 물질로 형성되고, 상기 접촉부는 구동부의 접촉부과 동일한 물질로 형성되는 압전형 MEMS 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판상에 일정 간격을 가지면서 본딩되는 제 1 및 제 2 면을 갖는 캡 웨이퍼를 더 포함하며, 상기 RF 전송선은 상기 반도체 기판과 대향하고 있는 상기 캡 웨이퍼의 제 1 면에 형성되는 것을 특징으로 하는 압전형 MEMS 스위치
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제 7 항에 있어서, 상기 캡 웨이퍼는 그것의 제 2 면에 형성되는 전극 패드 및 상기 전극 패드와 상기 RF 전송선을 전기적으로 연결시키기 위한 상기 캡 웨이퍼를 관통하도록 형성되는 비아 플러그를 더 포함하는 압전형 MEMS 스위치
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제 7 항에 있어서, 상기 캡 웨이퍼의 전극 패드와 콘택되도록 솔더 볼이 더 구비되는 압전형 MEMS 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 스위칭부의 길이는 상기 RF 전송선의 이격 거리와 같거나 크게 형성되는 압전형 MEMS 스위치
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홈부를 구비한 반도체 기판;상기 반도체 기판 및 상기 홈부에 걸쳐 형성되는 지지대;상기 지지대의 소정 부분에 배치되는 스위칭부;상기 스위칭부를 중심으로 좌우에 대칭적으로 배치되는 압전층을 구비한 제 1 및 제 2 구동부; 상기 반도체 기판상에 일정거리를 두고 대향되는 캡 웨이퍼; 및상기 스위칭부와 대응되는 캡 웨이퍼 표면에 일정 간격을 가지고 단절되어 있는 RF 전송선을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 구동부는 일측단부가 연결된 적어도 2개의 컨틸레버를 갖도록 구성되는 압전형 MEMS 스위치
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제 11 항에 있어서, 상기 캡 웨이퍼 내부에 상기 RF 전송선과 전기적으로 연결되도록 형성되는 비아 플러그;상기 비아 플러그와 콘택되도록 캡 웨이퍼 외측면에 형성되는 전극 패드; 및상기 전극 패드와 콘택되는 솔더볼을 더 포함하는 압전형 MEMS 스위치
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반도체 기판상에 홈부를 형성하는 단계;상기 홈부 내부에 희생층을 매립시키는 단계;상기 반도체 기판 및 희생층 상부의 소정 부분에 지지대를 형성하는 단계;상기 지지대 상부에 적어도 2개의 컨틸레버를 갖는 하부 전극 및 하부 전극과 일정 거리 이격된 접촉 연결부를 형성하는 단계;상기 하부 전극 상부에 압전층을 형성하는 단계;상기 압전층 상부에 상부 전극을 형성하는 단계; 상기 상부 전극 및 상기 접촉 연결부 상부에 접촉부를 형성하여, 하부 전극, 압전층, 상부 전극 및 접촉부로 구성되는 구동부, 및 접촉 연결부와 접촉부로 구성되는 스위칭부를 형성하는 단계;상기 희생층을 제거하는 단계;일표면에 소정 간격 이격된 RF 전송선을 가지며, 타측면에 상기 RF 전송선과 전기적으로 연결된 전극 패드를 구비한 캡 웨이퍼를 준비하는 단계;상기 캡 웨이퍼의 RF 전송선과 상기 스위칭부가 대응되도록 상기 캡 웨이퍼와 상기 반도체 기판을 본딩하는 단계; 및상기 전극 패드 상에 솔더볼을 부착시키는 단계를 포함하는 압전형 MEMS 스위치의 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 홈부를 형성하는 단계는,상기 반도체 기판의 선택된 부분을 KOH 용액에 의해 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 압전형 MEMS 스위치의 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 홈부를 형성하는 단계는, 상기 반도체 기판의 선택된 부분을 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 압전형 MEMS 스위치의 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 캡 웨이퍼를 준비하는 단계는,상기 캡 웨이퍼의 일 표면에 전극 패드를 형성하는 단계;상기 전극 패드가 노출되도록 상기 캡 웨이퍼의 소정 부분을 식각하여 비아홀을 형성하는 단계;상기 비어홀내에 도전물을 충진시켜 비아 플러그를 형성하는 단계; 및상기 비아 플러그와 콘택되도록 상기 캡 웨이퍼의 타 표면에 RF 전송선을 형성하는 단계를 포함하는 압전형 MEMS 스위치의 제조방법
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다수의 압전형 MEMS 스위치가 매트릭스 상태로 배열된 스위치 그룹;상기 압전형 MEMS 스위치들 각각과 전기적으로 연결되어, 상기 압전형 MEMS 스위치에 구동 전압을 제공하는 제 1 콘택 패드들; 및상기 다수의 압전형 MEMS 스위치들과 공통으로 연결되어, 상기 압전형 MEMS 스위치들에 접지 전압을 제공하는 제 2 콘택 패드를 포함하며;상기 압전형 MEMS 스위치 각각은 적어도 2개의 컨틸레버를 구비하는 구동부를 포함하는 압전형 MEMS 스위치 어레이
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제 17 항에 있어서, 상기 제 1 콘택 패드들과 제 2 콘택 패드는 상기 스위치 그룹의 일측에 배치되는 압전형 MEMS 스위치 어레이
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