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1
초순수를 일정 온도로 설정하고;
상기 초순수에 촉매를 제공하고;
상기 초순수에 실리콘 나노와이어 원료를 제공하고; 그리고
상기 실리콘 나노와이어 원료로부터 실리콘 나노와이어를 성장시키는 것을;
포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 제조방법
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2
제1항에 있어서,
상기 일정 온도는 70℃ 내지 100℃ 범위 내에 포함되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 제조방법
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3
제1항에 있어서,
상기 촉매는 수용성 금속 화합물 요오드칼륨(KI)을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 제조방법
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4
제3항에 있어서,
상기 요오드칼륨(KI)은 상기 초순수 500㎖ 당 0
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5
제1항에 있어서,
상기 실리콘 나노와이어 원료는 수용성 실리콘 화합물 에스엠에스(SMS:sodium methylsiliconate) 또는 에이피에스오(APSO:aminopropylsilsesquioxane oligomer)를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 제조방법
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6
제5항에 있어서,
상기 실리콘 나노와이어 원료는 1 질량% 내지 10 질량% 농도로 설정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 제조방법
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7
제1항에 있어서,
상기 실리콘 나노와이어 원료를 제공한 후, 상기 초순수에 산성 물질을 제공하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 제조방법
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8
제7항에 있어서,
상기 산성 물질을 제공하는 것은, 상기 촉매와 실리콘 나노와이어 원료가 포함된 초순수 100㎖ 당 불산(HF) 또는 염산(HCl)을 0
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9
제1항에 있어서,
상기 촉매를 제공하는 것은, 상기 실리콘 나노와이어 원료를 제공하는 것보다 이전에 진행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 제조방법
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10
제1항에 있어서,
상기 초순수를 일정 온도로 설정하는 것은:
상기 실리콘 나노와이어의 성장 지지판으로서 금, 은, 백금 중 적어도 어느 하나로 코팅된 실리콘 기판 또는 유리 기판을 포함하는 기판이 들어있는 비이커를 제공하고; 그리고
상기 비이커를 가열하는 것을;
포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 제조방법
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11
제1항에 있어서,
상기 각 단계들은 상압 하에서 진행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 제조방법
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12
지지 기판이 들어있고 초순수를 포함하는 상압의 제1 수용액이 채워진 용기를 가열하여 상기 제1 수용액을 상온 이상 100℃ 이하의 온도로 유지하고;
상기 제1 수용액에 촉매를 제공하여 제1 농도의 촉매가 포함된 상압의 제2 수용액으로 만들고;
상기 제2 수용액에 수용성 실리콘 화합물을 제공하여 제2 농도의 수용성 실리콘 화합물이 포함된 상압의 제3 수용액으로 만들고; 그리고
상기 제3 수용액 내에서 상기 수용성 실리콘 화합물로부터 실리콘 나노와이어를 상압 하에서 성장시키는 것을;
포함하는 실리콘 나노와이어 제조방법
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13
제12항에 있어서,
상기 제1 농도의 촉매는:
상기 제1 수용액 500㎖ 당 0
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14
제12항에 있어서,
상기 제2 농도의 수용성 실리콘 화합물은:
1 질량% 내지 10 질량% 농도를 가지는 에스엠에스(SMS:sodium methylsiliconate) 또는 에이피에스오(APSO:aminopropylsilsesquioxane oligomer)를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 제조방법
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15
제12항에 있어서,
상기 제3 수용액 100㎖ 당 0
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