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VO2 또는 V3O7 중에서 선택된 어느 하나의 박막을 기판 상에 형성하는 단계;상기 박막이 형성된 기판을 산소를 제거할 수 있는 환원분위기가 형성된 챔버 내에 장착하는 단계; 및상기 챔버에 열을 가하여, 상기 박막이 급격한 금속-절연체 전이를 하는 V2O3 박막을 형성하는 단계를 포함하는 급격한 금속-절연체 전이를 갖는 V2O3 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 VO2는 V2O5를 이용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 전이를 갖는 V2O3 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 환원분위기는 진공상태에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 전이를 갖는 V2O3 박막의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 진공상태는 1ⅹ10-2 torr 이하인 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 전이를 갖는 V2O3 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 환원분위기는 질소 가스(N2), 아르곤 가스(Ar) 및 수소 가스(H2) 중에서 선택된 적어도 어느 하나에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 전이를 갖는 V2O3 박막의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 환원분위기는 1ⅹ10-2 torr 이하의 진공상태에 상기 질소, 아르곤 및 수소 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 가스에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 전이를 갖는 V2O3 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 열을 가하기 위한 상기 챔버의 온도는 500℃ 내지 1000℃인 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 전이를 갖는 V2O3 박막의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 온도는 530℃ 내지 650℃인 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 전이를 갖는 V2O3 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 절연체와 금속 간의 저항 비(R(TMIT-20K)/R(TMIT+20K))는 10 내지 107인 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 전이를 갖는 V2O3 박막의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 저항 비는 103 내지 106인 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 전이를 갖는 V2O3 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 V2O3 박막은 140 K 이상에서부터 상온보다 낮은 온도 사이에서 상기 금속-절연체 전이를 하는 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 전이를 갖는 V2O3 박막의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 전이온도는 140K 내지 180K인 것을 특징으로 하는 급격한 금속-절연체 전이를 갖는 V2O3 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 V2O3 박막에 상기 전이특성을 조절할 수 있는 금속 원소 A를 고용시켜 (V1-x Ax)2O3을 형성하는 단계를 더 포함하는 급격한 금속-절연체 전이를 갖는 V2O3 박막의 제조방법
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