수직 공진형 표면방출 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 화합물 반도체 기판(1) 위에 하부 거울층(2), 활성층(3), 상부 거울층(4)이 순차적으로 성장된 표면방출 레이저 구조를 갖는 소정의 기판을 사용하여 이 기판의 상부에 보호막(5)을 증착시키고, 기판(1)의 하부에 후면전극(6)을 형성하는 공정; 상기 보호막(5) 위에 미세 레지스트 패턴(7)을 형성한 후, 이 레지스트 패턴(7)을 마스크로 이용하여 상기 보호막(5)과 상부거울층(4)을 1단계 이온 식각하는 공정; 상기 1단계 식각된 요철구조의 전표면에 걸쳐 금속을 증착한 후, 돌출부의 측면을 제외한 영역에 증착된 상기 금속과 상기 활성층(3)을 2단계 식각하여 돌출된 공진기의 측면에 측면전극(9)을 형성하는 공정; 소자를 평탄화하기 위하여 후막의 폴리이미드층(10)을 요철구조가 완전히 덮일 수 있도록 피복하고, 상기 폴리이미드층(10)의 일부를 상기 측면전극(9)의 일부가 노출될 때까지 제거한 후, 노출된 측면전극(9)의 측면에 배선전극(11)을 배선하는 공정; 및 레이저의 상부 방출을 위해 돌출부에 잔류된 상기 포토레지스트막(7)과 보호막(5)을 순차적으로 제거하여 상기 상부거울층(4)의 표면을 개방시키는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 상부 표면방출 마이크로 레이저의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 측면전극(9) 형성을 위한 금속증착 공정시, 수직구조의 돌출부 측면에 금속이 용이하게 형성될 수 있도록 시편을 증착방향에 대해 소정 각도로 경사지게 하여 경사 증착하는 것을 특징으로 하는 상부 표면방출 마이크로 레이저의 제조방법

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 측면전극(9)이 레이저 빔을 공진구조내에 효과적으로 국한시켜 출력특성을 향상시킬 수 있도록 반사율이 높은 Au 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 상부 표면방출 마이크로 레이저의 제조방법