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이온주입된GAAS기판의활성화방법

  • 기술번호 : KST2015095902
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반절연 GaAs 반도체 제조시 GaAs 기판의 활성화 방법에 관한 것이다.종래의 활성화 방법은 각 박막마다 스트레스에 따른 최대 증착막의 두께가 제한되고 스트레스에 의한 활성화율 및 이동도의 효율이 저하하게 된다. 본 발명은 계면의 스트레스를 감소시키고 As 원소의 휘발을 방지하는 방법을 제공한다.본 발명의 GaAs 기판 활성화 방법은 반절연 기판에 Si 이온을 70-120KeV,1T-10TATOMS/CM2의 조건으로 이온 주입하는 공정,이온 주입층상에 화학 증착 또는 스퍼터링 방법에 의해 실리콘 박막을 100-200ANG 두께로 증착시키는 공정,형성된 실리콘 박막상에 화학 증착 또는 스퍼터링 방법에 의해 SiO2 유전체 박막 또는 Si3N4 유전체 박막을 500-1500ANG 두께로 증착시키는 공정,800-950℃의 온도 범위에서 불활성 가스 분위기하 20-30분 동안 상기 기판을 활성화하는 공정으로 이루어져 있다.
Int. CL H01L 21/00 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/26513(2013.01) H01L 21/26513(2013.01)
출원번호/일자 1019880016771 (1988.12.14)
출원인 주식회사 케이티, 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0057818-0000 (1992.12.29)
공개번호/일자 10-1990-0010908 (1990.07.11) 문서열기
공고번호/일자 1019920007514 (19920904) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1988.12.14)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박형무 대한민국 대전시서구
2 편광의 대한민국 충남대전시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시서구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1988.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1988-0097637-88
2 특허출원서
Patent Application		 1988.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1988-0097635-97
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1988.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1988-0097636-32
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1990.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1988-0097638-23
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1992.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0053931-70
6 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1992.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0053932-15
7 의견서
Written Opinion		 1992.02.29 수리 (Accepted) 1-1-1988-0097639-79
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1992.02.29 수리 (Accepted) 1-1-1988-0097640-15
9 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1992.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0053934-17
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1992.08.24 수리 (Accepted) 1-1-1988-0097641-61
11 등록사정서
Decision to grant		 1992.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0053936-08
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

이온 주입된 GaAs 기판의 활성화 방법에 있어서, 반절연 기판에 +Si 이온을 70 내지 120KeV, 1012 내지 1013 atoms/㎠의 조건으로 이온 주입하는 제1공정; 상기 제1공정후, 이온 주입층 상에 실리콘(Si) 박막을 100 내지 200Å 두께로 증착시키는 제2공정; 상기 제2공정에 의해 형성된 실리콘 박막상에 SiO2 유전체 박막 또는 Si3N4 유전체 박막을 500 내지 1500Å 두께로 증착시키는 제3공정; 및 상기 제3공정후, 800 내지 950℃의 온도 범위에서 상기 기판을 활성화 하는 제4공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온 주입된 GaAs 기판의 활성화 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.