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기판의 발광영역을 포함하는 중앙부 위에 양극용 투명산화물 전극층과, 유기물 발광층, 및 음극용 금속전극층이 순차적으로 적층된 다층구조를 가지는 발광층과; 상기 발광층 위에 증착되는 고분자 유기물 평탄층; 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 제1 금속박막과; 상기 제1 금속박막 위에 다층으로 증착되는 제1 다층 무기박막; 및 상기 제1 다층 무기박막 위에 증착되는 유전체 박막 으로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 유기발광소자는 상기 유전체 박막 위에 다층으로 증착되는 제2 다층 무기박막과; 상기 제2 다층 무기박막 위에 증착되는 제2 금속박막; 및 상기 제2 금속박막 위에 증착되는 유기물 박막 을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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3
제 1 항에 있어서, 상기 고분자 유기물 평탄층은 발광층 위에 건식 혹은 습식공정으로 증착되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 3 항에 있어서, 상기 고분자 유기물 평탄층은 폴리이미드(polyimide)나 파릴렌(parylene) 고분자 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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5
제 1 항에 있어서, 상기 제1 금속박막은 특정 선구물질에 특정 이동용 가스를 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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6
제 5 항에 있어서, 상기 제1 금속박막은 트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH)와 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 어느 하나 이상에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 알루미늄(Al) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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7
제 5 항에 있어서, 상기 제1 금속박막은 사염화티탄(TiCl4)에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 티타늄(Ti) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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8
제 5 항에 있어서, 상기 제1 금속박막은 모노실란(SiH4)에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 실리콘(Si) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 다층 무기박막은 상기 제1 금속박막의 선구물질에 특정 반응용 가스의 비율을 점진적으로 증가시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 제1 금속박막 위에 다층으로 증착되는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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10
제 9 항에 있어서, 상기 제1 다층 무기박막은 트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH)와 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 어느 하나 이상에 산소(O2)와 아산화질소(N2O) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 증가시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 알루미늄(Al)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 증가하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 알루미늄 산화물 AlxOy, 알루미늄 질화물 AlxNy, 알루미늄 탄화물 AlxCy 중 어느 하나로 된 알루미늄(Al) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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11
제 9 항에 있어서, 상기 제1 다층 무기박막은 사염화티탄(TiCl4)에 질소(N2)와 암모니아(NH3) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 증가시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 티타늄(Ti)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 증가하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 티타늄 산화물 TixOy, 티타늄 질화물 TixNy, 티타늄 탄화물 TixCy 중 어느 하나로 된 티타늄(Ti) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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12
제 9 항에 있어서, 상기 제1 다층 무기박막은 모노실란(SiH4)에 메탄(CH4)과 아세틸렌(C2H2) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 증가시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 실리콘(Si)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 증가하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 실리콘 산화물 SixOy, 실리콘 질화물 SixNy, 실리콘 탄화물 SixCy 중 어느 하나로 된 실리콘(Si) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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13
제 1 항에 있어서, 상기 유전체 박막은 상기 제1 금속박막의 선구물질에 특정 반응용 가스를 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 제1 다층 무기박막의 최상위 마지막 무기박막 위에 증착되는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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14
제 13 항에 있어서, 상기 유전체 박막은 트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH)와 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 어느 하나 이상에 산소(O2)와 아산화질소(N2O) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 제조된 알루미늄 산화물 AlO1
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제 13 항에 있어서, 상기 유전체 박막은 사염화티탄(TiCl4)에 질소(N2)와 암모니아(NH3) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 제조된 티타늄 산화물 TiO2, 티타늄 질화물 TiN, 티타늄 탄화물 TiC 중 어느 하나로 된 티타늄(Ti) 유전체 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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16
제 13 항에 있어서, 상기 유전체 박막은 모노실란(SiH4)에 메탄(CH4)과 아세틸렌(C2H2) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 제조된 실리콘 산화물 SiO2, 실리콘 질화물 SiN, 실리콘 탄화물 SiC 중 어느 하나로 된 실리콘(Si) 유전체 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 2 항에 있어서, 상기 제2 다층 무기박막은 상기 제1 금속박막의 선구물질에 특정 반응용 가스의 비율을 점진적으로 감소시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유전체 박막 위에 다층으로 증착되는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 17 항에 있어서, 상기 제2 다층 무기박막은 트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH)와 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 어느 하나 이상에 산소(O2)와 아산화질소(N2O) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 감소시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 알루미늄(Al)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 감소하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 알루미늄 산화물 AlxOy, 알루미늄 질화물 AlxNy, 알루미늄 탄화물 AlxCy 중 어느 하나로 된 알루미늄(Al) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 17 항에 있어서, 상기 제2 다층 무기박막은 사염화티탄(TiCl4)에 질소(N2)와 암모니아(NH3) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 감소시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 티타늄(Ti)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 감소하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 티타늄 산화물 TixOy, 티타늄 질화물 TixNy, 티타늄 탄화물 TixCy 중 어느 하나로 된 티타늄(Ti) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 17 항에 있어서, 상기 제2 다층 무기박막은 모노실란(SiH4)에 메탄(CH4)과 아세틸렌(C2H2) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 감소시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 실리콘(Si)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 감소하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 실리콘 산화물 SixOy, 실리콘 질화물 SixNy, 실리콘 탄화물 SixCy 중 어느 하나로 된 실리콘(Si) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 2 항에 있어서, 상기 제2 금속박막은 특정 선구물질에 특정 이동용 가스를 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 21 항에 있어서, 상기 제2 금속박막은 트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH)와 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 어느 하나 이상에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 제2 다층 무기박막의 최상위 마지막 무기박막 위에 증착되는 알루미늄(Al) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 21 항에 있어서, 상기 제2 금속박막은 사염화티탄(TiCl4)에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 제2 다층 무기박막의 최상위 마지막 무기박막 위에 증착되는 티타늄(Ti) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 21 항에 있어서, 상기 제2 금속박막은 모노실란(SiH4)에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 제2 다층 무기박막의 최상위 마지막 무기박막 위에 증착되는 실리콘(Si) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 2 항에 있어서, 상기 제2 다층 무기박막의 최하위 무기박막에서부터 최상위 마지막 무기박막까지의 순차적 적층구조는 상기 유전체 박막을 기준으로 상기 제1 다층 무기박막의 최하위 무기박막에서부터 최상위 마지막 무기박막까지의 순차적 적층구조와 서로 대칭인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 2 항에 있어서, 상기 유기물 박막은 상기 제2 금속박막 위에 건식 혹은 습식공정으로 증착되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 26 항에 있어서, 상기 유기물 박막은 폴리이미드(polyimide)나 파릴렌(parylene) 고분자 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제1 금속박막과 제1 다층 무기박막, 유전체 박막, 제2 다층 무기 박막, 및 제2 금속박막은, C-CVD, IBI-CVD, PECVD, ECR-CVD, ICP-CVD, Cat-CVD, HW-CVD 중 어느 하나의 화학기상증착법(CVD)으로 제조되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유기발광소자는 상기 제1 금속박막과 제1 다층 무기박막, 유전체 박막, 제2 다층 무기 박막, 제2 금속박막, 및 유기물 박막으로 된 순차적 적층구조가 반복 적층된 다중 보호막구조인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유기발광소자는 상기 제1 금속박막과 제1 다층 무기박막, 유전체 박막, 제2 다층 무기 박막, 제2 금속박막, 및 유기물 박막으로 된 순차적 적층구조가 반복 적층된 다중 보호막구조인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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