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초미세반도체소자의식각방법

  • 기술번호 : KST2015096002
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자를 제작하는데 있어 필수적인 미세 식각 패턴 형식을 STM을 이용하여 제작하는 방법에 관한 것으로써, 종래의 전자빔이나 불활성 기체 이온빔을 사용하는 방법에 비해 선폭이 훨씬 작고(수 Å), 식각부분의깊이를 원자 scale에서 조절할 수 있다. 본 발명에서는 si표면을 불소(F)나염소(Cl)등으로 패시베이트(passivate)되게 하고(단계a), 흡착된 원자들이 Si과 반응을 일으킬 수 있도록 표면온도를 유지하면서 STM의 금속탐침을 원하는 위치에 접근시킨후 짧은 시간동안 전압을 가해 SiClx(x=1,2,3,4)나 SiFx(x=1,2,3,4)의 탈착에 의한 Si표면의 식각을 유도한다(단계b). 다시 같은 공정을 반복하여 Si의 두 번째 층을 식각한 패턴의 형성하는 공정(단계 c와단계 d)을 거쳐 저가의 장비로, 낮은 에너지 빔을 이용하여 표면결함이 적은 원자단위에서 넓이와 높이조절이 가능한 미세 식각 패턴의 제작이 가능하다. 이러한 식각방법은 Si과 GaAs 등의 화합물 반도체에도 적용 가능하다.
Int. CL H01L 21/302 (2006.01)
CPC H01L 21/306(2013.01)
출원번호/일자 1019930028672 (1993.12.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0125062-0000 (1997.10.01)
공개번호/일자 10-1995-0021171 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970009860 (19970618) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.20)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하정숙 대한민국 대전직할시유성구
2 박성주 대한민국 대전직할시유성구
3 이재열 대한민국 대전직할시유성구
4 이일항 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143894-81
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143893-35
3 특허출원서
Patent Application		 1993.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143892-90
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143895-26
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1996.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0068182-92
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.02.26 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143897-17
7 의견서
Written Opinion		 1997.02.26 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143896-72
8 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143898-63
9 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0068183-37
10 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143899-19
11 등록사정서
Decision to grant		 1997.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0068184-83
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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초미세 반도체 소자를 제조하는 방법에 있어서, 반도체(1)의 표면에 표면안정화용 화학물질을 흡착시키는 공정(a)과, 상기 반도체(1)의 표면을 이루는 원자층(1a)과 상기 표면 안정화용 화학물질 사이에 화학반응이 일어나도록 한 후 주사관통 현미경(STM)의 탐침(2)을 식각하고자 하는 상기 반도체 표면의 소정위치에(3)에 접근시키고 수 eV정도의 펄스전압을 상기 탐침(2)에 인가하여 상기 반도체(1)의 표면원자층(1a)과 상기 화학물질 사이에 반응물을 탈착시켜 상기 소정위치(3)의 표면원자층을 식각하는 공정(b)을 포함하는 것을 특징으로하는 초미세 반도체 소자의 식각방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.