맞춤기술찾기

이전대상기술

염료감응형 태양전지 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015096067
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 염료감응형 태양전지 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 태양전지는 하부 기판과, 상기 하부 기판 상의 하부 전극과, 상기 하부 전극 상의 광전 변환 층과, 상기 광전 변환 층 상의 상부 전극과, 상기 상부 전극 상의 상부 기판을 포함한다. 상기 하부 기판 및 상기 하부 전극은 상기 광전 변환 층과의 접촉 표면적을 최대화시키는 요철들을 가질 수 있다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01)
출원번호/일자 1020120151121 (2012.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0090714 (2014.07.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤호경 대한민국 서울 용산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-1066819-31
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0045359-84
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 기판;상기 하부 기판 상의 하부 전극;상기 하부 전극 상의 광전 변환 층;상기 광전 변환 층 상의 상부 전극; 및상기 상부 전극 상의 상부 기판을 포함하되,상기 하부 기판 및 상기 하부 전극은 상기 광전 변환 층과의 접촉 표면적을 최대화시키는 요철들을 갖는 염료감응형 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서,상기 광전 변환 층은,상기 하부 전극 상의 전극 도트들;상기 전극 도트들 상의 염료 층; 및상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 배치되고, 상기 전극 도트들 사이 및 상기 염료 층 내에 침투된 전해질을 포함하는 염료감응형 태양전지
3 3
제 2 항에 있어서,상기 전극 도트들과 상기 하부 전극은 동일한 금속 산화물을 포함하는 염료감응형 태양전지
4 4
제 3 항에 있어서,상기 금속 산화물은 산화 티탄을 포함하는 염료감응형 태양전지
5 5
제 3 항에 있어서,상기 금속 산화물은 이산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 산화텅스텐(WO3), 산화 텅스텐(WO3), 산화니오븀(Nb2O5), 산화 티탄 스트론튬(TiSrO3)을 더 포함하는 염료감응형 태양전지
6 6
제 2 항에 있어서, 상기 광전 변환 층은 상기 상부 전극 아래에 배치되며, 상기 전해질에 침지되는 촉매 층을 더 포함하는 염료감응형 태양전지
7 7
제 1 항에 있어서,상기 요철들은, 상기 하부 기판의 제 1 상부 표면에 무작위(random)로 형성된 제 1 요철들; 및상기 제 1 요철들을 따라 상기 하부 전극의 제 2 상부 표면에 형성된 제 2 요철들을 포함하는 염료감응형 태양전지
8 8
제 1 항에 있어서,상기 하부 전극은 상기 하부 기판 상에서 균일한 두께를 갖는 염료감응형 태양전지
9 9
제 1 항에 있어서,상기 하부 기판은 티타늄 또는 티타늄 합금을 포함하는 염료감응형 태양전지
10 10
하부 기판의 상부 표면에 제 1 요철들을 형성하는 단계;상기 하부 기판 상에서 상기 제 1 요철들 따라 형성되는 제 2 요철들을 갖는 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 전극 도트들과, 상기 전극 도트들 상에 염료 층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 하부 기판에 대향되는 상부 기판 상에 상부 전극을 형성하는 단계;상기 상부 전극 상에 촉매 층을 형성하는 단계; 및상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 전해질 층을 개재하여 상기 상부 기판과 하부 기판을 접합하는 단계를 포함하는 염료감응 태양전지의 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 제 1 요철들은 하부 기판의 습식 식각 방법에 의해 형성되는 염료감응형 태양전지의 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 하부 기판의 상기 습식 식각 방법은 산성 용액을 사용하는 염료감응형 태양전지의 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 하부 기판은 티타늄 또는 티타늄 합금을 포함하고, 상기 산성 용액은 플르오르화수소산, 또는 질산을 포함하는 염료감응형 태양전지의 제조방법
14 14
제 10 항에 있어서,상기 하부 전극은 상기 하부 기판의 열산화 공정에 의해 형성된 금속 산화물을 포함하는 염료감응형 태양전지의 제조방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 열산화 공정은 500도 내지 1000도에서 수행되는 염료감응형 태양전지의 제조방법
16 16
제 14 항에 있어서,상기 금속 산화물은 이산화 티탄을 포함하는 염료감응형 태양전지의 제조방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 전극 도트들은 상기 이산화 티탄을 포함하는 콜로이드 용액으로부터 형성되는 염료감응형 태양전지의 제조방법
18 18
제 17 항에 있어서,상기 콜로이드 용액은 폴리에틸렌글리콜 또는 폴레에틸렌옥사이드의 용매를 포함하는 염료감응형 태양전지의 제조방법
19 19
제 18 항에 있어서,상기 용매는 열처리 공정에 의해 제거되는 염료감응형 태양전지의 제조방법
20 20
제 19 항에 있어서,상기 열처리 공정은 450도 내지 550도에서 수행되는 염료감응형 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.