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반도체장치의저항접합형성방법

  • 기술번호 : KST2015096089
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/043(2013.01) H01L 21/043(2013.01) H01L 21/043(2013.01)
출원번호/일자 1019910007294 (1991.05.06)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0093980-0000 (1996.01.11)
공개번호/일자 10-1992-0022473 (1992.12.19) 문서열기
공고번호/일자 1019950011552 (19951006) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.05.06)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영준 대한민국 대전직할시중구
2 백종태 대한민국 대전광역시 유성구
3 남기수 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
2 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.05.06 수리 (Accepted) 1-1-1991-0042191-32
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.05.06 수리 (Accepted) 1-1-1991-0042190-97
3 특허출원서
Patent Application		 1991.05.06 수리 (Accepted) 1-1-1991-0042189-40
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0015494-21
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1994.10.17 수리 (Accepted) 1-1-1991-0042192-88
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1994.11.16 수리 (Accepted) 1-1-1991-0042193-23
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1994.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1991-0042194-79
8 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period		 1994.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0015495-77
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.01.16 수리 (Accepted) 1-1-1991-0042195-14
10 의견서
Written Opinion		 1995.01.16 수리 (Accepted) 1-1-1991-0042196-60
11 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1995.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0015496-12
12 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0015499-59
13 등록사정서
Decision to grant		 1995.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0015500-18
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

소정 도전형의 반도체와 배선금속과의 저항접합(ohmic contact)을 형성하는 방법에 있어서, N형 반도체에는 장벽층/AlSi층의 배선구조를 접합시키고, P형 반도체에는 10Å~400Å 정도의 최소두께를 갖는 AlSi층, 10Å~1500Å두께의 장벽층, 및 1000Å~10000Å두께의 AlSi층이 접합된 배선구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 저항접합 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.