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서로 상이한 구조를 갖는 적어도 두 개 이상의 소자들이 하나의 동일한 기판상에 형성되는 이종 구조의 갈륨 비소 반도체 장치를 제조하기 위해 상기 적어도 두 개 이상의 소자들 상호간을 전기적으로 분리하는 방법에 있어서, 분자선 에피택시(MBE) 방법을 이용하여 반절연성 갈륨 비소 기판(1)의 표면 위에 제1구조의 소자를 형성하기 위한 제1의 에피층(2)을 형성하는 단계와, 상기 제1에피층(2)의 표면 위에 제1의 알루미늄 갈륨 비소층(3b)과 절연성 갈륨 비소층(3c) 및 제2의 알루미늄 갈륨 비소층(3a)을 순차로 증착하여 절연층(3)을 형성하되 상기 제1 및 상기 제2의 알루미늄 갈륨 비소층(3a, 3b)은 소정의 온도에서 동일한 조건으로 형성하고 상기 갈륨 비소층(3c)은 상기 제1 및 상기 제2의 알루미늄 갈륨 비소층(3a, 3b)의 형성온도보다 상대적으로 낮은 온도에서 형성하는 단계와, 상기 절연층(3)의 상면에 제2의 에피층(4)을 성장시킨 후 상기 제2에피층(4)의 표면에 감광막을 도포하고 마스크를 사용하여 상기 제1구조의 소자가 형성될 영역에 감광막 패턴(5)을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴(5)을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴(5)을 마스크로서 사용하여 상기 제2의 알루미늄 갈륨 비소층(3a)과 상기 갈륨 비소층(3c) 및 상기 제1의 알루미늄 갈륨 비소층(3b)을 순차로 식각한 후 상기 감광막 패턴(5)을 제거하여 상기 제1구조 및 상기 제2구조의 소자가 각각 형성될 영역에 제1의 에피층(2)과 제2의 에피층(4a)이 드러나게 하는 단계와, 상기 제1의 에피층(2)의 표면과 상기 제2의 에피층(4a)의 표면 위에 금속막을 소정의 두께로 증착한 후 각 소자의 활성영역에 해당하는 영역에만 금속막이 남도록 금속막 패턴(6)을 형성하는 단계와, 기판의 표면에 소정의 두께로 감광막을 도포한 후 마스크를 사용하여 감광막 패턴(5a)을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴(5a)을 마스크로서 이용하여 기판에 붕소(B) 이온과 프로톤(H+) 이온을 소정의 에너지로 주입하여 기판에 수직방향으로 소자 분리 영역(7)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 구조 갈륨 비소 반도체 장치의 소자 분리 방법
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