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초 고주파용 씨모스 회로 격리 설계방법

  • 기술번호 : KST2015096168
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초고주파 대역에 적용할 수 있는 초고주파용 CMOS회로 격리방법을 제공한다.본 발명에 의한 초고주파용 CMOS 회로 격리방법은 n형 혹은 p형의 웰주위에 n+형 영역과 p+형 영역의 가아드 링을 형성한다. 이러한 가아드 링은 배선용 금속선 아래의 실리콘 기판의 표면이 반전되거나 축적되는 것에 관계 없이 소자간의 격리시킬 수 있다. 또한 초고주파용 CMOS의 웰 바이어스를 기존의 VDD와 GND로 동작시키는 방법과 달리 플로우팅 웰의 상태로 동작시킬 경우, 웰간의 전위차로 심각한 누설전류가 흐를 수 있는데 본 발명에 의한 초고주파용 CMOS 회로 격리방법은 이러한 경우에도 누설전류 경로를 차단하여 소자간을 격리시킬 수 있다.
Int. CL H01L 27/08 (2006.01)
CPC H01L 21/823878(2013.01) H01L 21/823878(2013.01) H01L 21/823878(2013.01)
출원번호/일자 1019970069568 (1997.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0275535-0000 (2000.09.21)
공개번호/일자 10-1999-0050449 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.17)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김천수 대한민국 대전광역시 유성구
2 유현규 대한민국 대전광역시 유성구
3 김충환 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217772-26
2 특허출원서
Patent Application		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217771-81
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217773-72
4 등록사정서
Decision to grant		 2000.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0157382-91
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

고저항 p형 기판상에 형성되는 초고주파용 CMOS 회로의 격리방법에 있어서,

상기 기판상에 소자 영역을 정의하는 복수의 n-웰이 형성되어 있고, 상기 n-웰이 일정한 전위로 동작 혹은 다른 전위로 동작하는 것에 관계없이 n-웰과 n-웰사이에 n+형과 p+형의 가아드 링을 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS 회로의 격리방법

2 2

고저항 p형 기판상에 형성되는 초고주파용 CMOS 회로의 격리방법에 있어서,

상기 기판상에 소자 영역을 정의하는 복수의 p-웰이 형성되어 있고, 상기 p-웰이 일정한 전위로 동작 혹은 다른 전위로 동작하는 것에 관계없이 p-웰과 p-웰사이에 n+형과 p+형의 가아드 링을 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS 회로의 격리방법

3 3

고저항 n형 기판상에 형성되는 초고주파용 CMOS 회로의 격리방법에 있어서,

상기 기판상에 소자 영역을 정의하는 복수의 p-웰이 형성되어 있고, 상기 p-웰이일정한 전위로 동작 혹은 다른 전위로 동작하는 것에 관계없이 p-웰과 p-웰사이에 n+형과 p+형의 가아드 링을 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS회로의 격리방법

4 4

고저항 n형 기판상에 형성되는 초고주파용 CMOS 회로의 격리방법에 있어서,

상기 기판상에 소자 영역을 정의하는 복수의 n-웰이 형성되어 있고, 상기 n-웰이 일정한 전위로 동작 혹은 다른 전위로 동작하는 것에 관계없이 p-웰과 p-웰사이에 n+형과 p+형의 가아드 링을 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS 회로의 격리방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.