| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
읽어내기 회로를 포함하는 반도체 기판;상기 반도체 기판 상부에 공간적으로 분리되어 위치하며 적외선을 감지하는 감지부; 및상기 반도체 기판과 상기 감지부를 연결하며, 외부에 절연 기둥 및 내부에 전도성 브릿지의 이중 실린더 모양으로 된 복수개의 지지대를 포함하고,상기 감지부로부터 감지된 신호는 상기 전도성 브릿지를 통해 상기 반도체 기판의 읽어내기 회로에 전달되되,상기 감지부는 하부 절연성 멤브레인, 하부 전극, 적외선 감지 물질층, 상부 전극, 적외선 흡수층 및 상부 절연성 멤브레인이 순차적으로 적층된 구조이고, 상기 상부 전극 및 하부 전극은 상기 전도성 브릿지와 전기적으로 연결되며, 상기 하부 절연성 멤브레인 및 상기 상부 절연성 멤브레인은 상기 하부 전극, 적외선 감지 물질층, 상부 전극 및 적외선 흡수층을 전체적으로 감싸는 구조인 것을 특징으로 하는 적외선 감지용 픽셀
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제2 항에 있어서, 상기 지지대는 높이가 1~2㎛ 이고, 상기 반도체 기판과 감지부 사이에 상기 지지대를 제외한 공간은 공기 또는 진공상태인 것을 특징으로 하는 적외선 감지용 픽셀
|
| 5 |
5
(a) 읽어내기 회로가 형성된 반도체 기판의 표면에 복수개의 읽어내기 회로의 전극을 형성하는 단계; (b) 전체 상부에 제1 절연막 및 제2 절연막을 순차적으로 증착하는 단계; (c) 상기 제1 절연막 및 제2 절연막의 일부분을 식각하여 상기 전극 상부에 홀을 형성하는 단계; (d) 전체 상부에 제3 절연막을 증착하고, 상기 제2 절연막 및 전극 상부의 상기 제3 절연막을 제거하여 상기 홀 내부에 절연 기둥을 형성하는 단계; (e) 상기 절연 기둥을 전도성 물질로 매립하여 전도성 브릿지를 형성하는 단계; (f) 전체 상부에 적외선을 감지하는 감지부를 형성하는 단계; 및 (g) 상기 제1 절연막을 선택적으로 제거하여 상기 반도체 기판과 감지부 사이에 간극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지용 픽셀의 제조방법
|
| 6 |
6
제5 항에 있어서, 상기 제1 절연막은, PSG 또는 BPSG 형의 규소산화막을 1~2㎛ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지용 픽셀의 제조방법
|
| 7 |
7
제5 항에 있어서, 상기 홀의 폭은 1~3㎛ 이고, 상기 제3 절연막의 두께는 0
|
| 8 |
8
제5 항에 있어서, 상기 (f) 단계는, 전도성 금속을 증착하여 상기 전도성 브릿지와 전기적으로 연결되는 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에 적외선 감지 물질을 증착하는 단계; 전도성 금속을 증착하여 상기 전도성 브릿지와 전기적으로 연결되는 상부 전극을 형성하는 단계; 상기 상부 전극 상에 적외선 흡수 물질을 증착하는 단계; 및 제4 절연막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지용 픽셀의 제조방법
|
| 9 |
8
제5 항에 있어서, 상기 (f) 단계는, 전도성 금속을 증착하여 상기 전도성 브릿지와 전기적으로 연결되는 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에 적외선 감지 물질을 증착하는 단계; 전도성 금속을 증착하여 상기 전도성 브릿지와 전기적으로 연결되는 상부 전극을 형성하는 단계; 상기 상부 전극 상에 적외선 흡수 물질을 증착하는 단계; 및 제4 절연막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지용 픽셀의 제조방법
|
