격리폭이 균일한 격리 반도체의 제조방법에 있어서, p형 규소기판(5)상에 규소 산화막(6)과 규소 질화막(7)을 순차로 형성한 후 활성 마스크 작업으로 활성 영역을 정의하고 비활성 영역의 상기 규소 질화막(7)과 상기 규소 산화막(6) 및 상기 p형 규소기판(5)을 순차로 부식시켜 필드영역을 위한 홈을 소정의 깊이로 형성하는 단계와, 불순물을 이온 주입하여 상기 필드영역에 이온 주입층(8)을 형성한 후 열산화시켜 소정 두께의 규소 산화막(9)과 p+영역(10)을 형성하는 단계와, CPCVD 방법으로 다결정 규소(11)를 소정의 두께로 증착하고 습식산화시켜 다결정 규소 산화막(12)을 형성하는 단계와, 상기 규소 질화막(7)의 표면이 드러날때 까지 상기 다결정 규소 산화막(12)을 에치-백하거나 연마하는 단계와, 남아 있는 상기 규소질화막(7)을 제거한 후 상기 규소 산화막(6)을 습식식각 방법으로 제거하여 상기 p형 규소기판(5)을 노출시킨 다음 활성층으로서 이용될 규소 에피층(13)을 선택적 에피택셜층 형성방법으로 성장시키는 단게를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 에피택셜층 성장을 위한 격리반도체 제조방법

격리폭이 불균일 한 격리 반도체의 제조방법에 있어서, p형 규소기판(5)상에 규소 산화막(6)과 규소 질화막(7)을 순차로 형성한 후 활성 마스크 작업으로 활성영역을 정의하고 비활성 영역의 상기 규소 질화막(7)과 상기 규소 산화막(6) 및 상기 p형 규소기판(5)을 순차로 부식시켜 필드영역을 위한 홈을 소정의 깊이로 형성하는 단계와, 불순물을 이온주입 하여 상기 필드영역에 이온주입층(8)을 형성한 후 열산화시켜 소정 두께의 규소 산화막(9)과 p+영역(10)을 형성하는 단계와, LPCVD 방법으로 다결정 규소(11)를 소정의 두께로 증착하고 습식산화시켜 다결정 규소 산화막(12)을 형성하는 단계와, CVD 규소 산화막(14)을 증착하되 이 CVD규소 산화막(14)의 가장 낮은 높이가 적어도 상기 규소 질화막(7)의 높이 이상 되도록 하는 단계와, 상기 규소 질화막(7)이 노출될 때까지 상기 CVD 규소 산화막(14)과 상기 다결정 규소 산화막(12)을 연마하는 단계와, 남아 있는 상기 규소 질화막(7)을 제거한 후 상기 규소 산화막(6)을 습십식각 방법으로 제거하여 상기 p형 규소 기판(5)을 노출시킨 다음 활성층으로서 이용된 규소 에피층(13)을 선택적 에피택셜층 형성방법으로 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 에피택셜층 성장을 격리 반도체 제조방법