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도핑효과를개선한이질구조화합물반도체소자의제조방법

  • 기술번호 : KST2015096261
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음.
Int. CL H01L 29/16 (2006.01)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1019890003420 (1989.03.18)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0047463-0000 (1992.01.06)
공개번호/일자 10-1990-0015347 (1990.10.26) 문서열기
공고번호/일자 1019910007414 (19910925) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1989.03.18)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황인덕 대한민국 충남대전시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울특별시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1989.03.18 수리 (Accepted) 1-1-1989-0020370-45
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1989.03.18 수리 (Accepted) 1-1-1989-0020371-91
3 특허출원서
Patent Application		 1989.03.18 수리 (Accepted) 1-1-1989-0020369-09
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1989.07.21 수리 (Accepted) 1-1-1989-0020372-36
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1990.02.02 수리 (Accepted) 1-1-1990-9001135-00
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1991.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0010495-57
7 등록사정서
Decision to grant		 1991.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0010497-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

이질구조를 갖는 반도체소자를 제조함에 있어서, 화합물반도체의 에피택셜층을 띠간격의 크기가 다른 반도체 위에 성장시키며 에피택셜층의 n형 불순물은 IV족과 VI족의 원소중에서 사용할 때 기판의 표면 방위가 (100)이 아닌 반도체 기판을 사용하여 깊은 준위의 농도를 감소시킬 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 도핑효과를 개선한 이질구조 화합물 반도체소자의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 반도체 기판을 II-VI족 화합물반도체와 III-V족 화합물반도체 및 Si의 단결정 중에서 사용하도록 한 것을 특징으로 하는 도핑효과를 개선한 이질구조 화합물 반도체소자의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 표면방위 (111)A,(111)B,(211)A,(211)B,(311)A,(311)B와 (110)으로부터 5°이내 기울어진 반도체 기판을 사용하도록 한 것을 특징으로 하는 도핑효과를 개선한 이질구조 화합물 반도체소자의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 화합물 반도체의 에피택셜층을 직접천이 띠간격 및 간접천이 띠간격을 갖는 화합물 반도체의 혼합으로 된 3원과 4원의 화합물 반도체 중에서 사용하도록 한 것을 특징으로 하는 도핑효과를 개선한 이질구조 화합물 반도체소자의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 에피택셜층의 n 형 불순물 Si, Sn, Ge, Te, Se, S와 이들의 분자화합물 중에서 사용하도록 한 것을 특징으로 하는 도핑효과를 개선한 이질구조 화합물 반도체소자의 제조방법

6 6

기판의 표면을 에칭하여 형성되는 표면방위 (100)A,(111)B,(211)A,(211)B,(311)A,(311)B와 (110)의 표면위에 반도체 화합물의 에피택셜층을 성장시키도록 한 것을 특징으로 하는 도핑효과를 개선한 이질구조 화합물 반도체소자의 제조방법

7 7

제1항에 또는 6항에 있어서, 깊은 준위(DX Center)가 없는 화합물 반도체 층과 띠간격의 크기가 다른 반도체계면 근처에 1차원 전자가스와 2차원 전자가스중 하나가 형성되는 것을 특징으로 하는 도핑효과를 개선한 이질구조 화합물 반도체소자의 제조방법

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1 JP02298040 JP 일본 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2298040 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH02298040 JP 일본 DOCDBFAMILY
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