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하부 클래드;상기 하부 클래드 상의 금속 박막;상기 금속 박막의 일면 상에 서로 이격되어 배치된 저유전막들; 및 상기 저유전막들 사이의 상기 금속 박막 영역 및 상기 저유전막들을 덮는 상부 클래드를 포함하되,상기 저유전막들의 굴절률은 상기 하부 및 상부 클래드들의 굴절률보다 작은 표면 플라즈몬 광 도파로
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제 1 항에 있어서, 상기 상부 클래드와 상기 저유전막들 간의 굴절률 차이는 약 0
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제 1 항에 있어서, 상기 저유전막들의 두께는 상기 금속 박막의 두께보다 큰 표면 플라즈몬 광 도파로
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제 1 항에 있어서, 상기 저유전막들 간의 간격은 상기 저유전막들의 두께보다 큰 표면 플라즈몬 광 도파로
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5
제 1 항에 있어서, 상기 저유전막들 간의 간격은 상기 저유전막들의 두께의 10배 내지 100배인 표면 플라즈몬 광 도파로
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6
제 1 항에 있어서, 상기 금속 박막의 두께는 5nm 내지 20nm인 표면 플라즈몬 광 도파로
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7
제 1 항에 있어서, 상기 저유전막들의 두께는 0
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8
제 1 항에 있어서, 상기 저유전막들의 간격은 1㎛ 내지 20㎛인 표면 플라즈몬 광 도파로
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9
제 1 항에 있어서, 상기 저유전막들 사이에서 상기 금속 박막과 상기 상부 클래드가 인접하는 영역을 따라 장거리 표면 플라즈몬 폴라리톤(LRSPP) 모드를 형성하여 빛이 도파되는 표면 플라즈몬 광 도파로
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10
제 1 항에 있어서, 상기 저유전막들은 상기 금속 박막의 상부면에 서로 이격되어 배치된 제 1 내지 제 3 저유전막들을 포함하되,상기 제 1 저유전막과 상기 제 2 저유전막 간의 간격이 상기 제 2 저유전막과 상기 제 3 저유전막 간의 간격과 실질적으로 동일한 표면 플라즈몬 광 도파로
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11
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 저유전막과 상기 제 2 저유전막 간의 간격은 상기 제 1 내지 제 3 저유전막들의 두께보다 큰 표면 플라즈몬 광 도파로
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12
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 저유전막과 상기 제 2 저유전막 사이에서 상기 금속 박막과 상기 상부 클래드가 인접하는 제 1 영역과, 상기 제 2 저유전막과 상기 제 3 저유전막 사이에서 상기 금속 박막과 상기 상부 클래드가 인접하는 제 2 영역을 따라 장거리 표면 플라즈몬 폴라리톤(LRSPP) 모드를 형성하여 빛이 도파되는 표면 플라즈몬 광 도파로
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13
제 1 항에 있어서, 상기 저유전막들은 상기 금속 박막의 상부면에 서로 이격되어 배치된 제 1 내지 제 3 저유전막들을 포함하되,상기 제 1 저유전막과 상기 제 2 저유전막 간의 간격이 상기 제 2 저유전막과 상기 제 3 저유전막 간의 간격과 다른 표면 플라즈몬 광 도파로
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14
제 13 항에 있어서, 상기 제 1 저유전막과 상기 제 2 저유전막 간의 간격 및 상기 제 2 저유전막과 상기 제 3 저유전막 간의 간격은 상기 제 1 내지 제 3 저유전막들의 두께보다 큰 표면 플라즈몬 광 도파로
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15
제 1 항에 있어서, 상기 저유전막들은 상기 금속 박막의 상부면에 서로 이격되어 배치된 상부 저유전막들 및 상기 금속 박막의 하부면에 서로 이격되어 배치된 하부 저유전막들을 포함하는 표면 플라즈몬 광 도파로
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16
제 15 항에 있어서, 상기 상부 저유전막들 간의 간격은 상기 하부 저유전막들 간의 간격과 실질적으로 동일한 표면 플라즈몬 광 도파로
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제 15 항에 있어서, 상기 상부 저유전막들 간의 간격은 상기 하부 저유전막들 간의 간격과 다른 표면 플라즈몬 광 도파로
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제 15 항에 있어서, 상기 상부 저유전막들 간의 간격은 상기 상부 저유전막들의 두께보다 크고, 상기 하부 저유전막들의 간격은 상기 하부 저유전막들의 두께보다 큰 표면 플라즈몬 광 도파로
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