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쌍극자 트랜지스터의 컬렉터 싱커 형성방법

  • 기술번호 : KST2015096304
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 쌍극자 트랜지스터의 컬렉터 싱커 형성방법에 관한 것으로서, 제1전도형 불순물이 도핑된 실리콘 기판상의 트랜지스터가 제작되는 영역에 제2전도형 불순물이 도핑된 매몰층을 형성하는 공정과, 상기 실리콘 기판의 전면에 제2전도형 불순물이 첨가된 컬렉터 박막을 결정 성장하는 공정과, 상기 컬렉터박막의 표면에 산화막과 산화방지용 질화막을 순차적으로 적충하고 상기 질화막을 제거하여 활성영역을 정의하는 공정과, 상기 질화막을 마스크로 하여 두꺼운 필드산화막을 성장하고 상기 질화막을 제거하는 공정과, 상기 필드산화막의 소정부분을 실리콘 기판이 노출되도록 제거하여 컬렉터 접점부분을 정의하고 상기 실리콘 기판이 노출된 부분에 제2전도성 불순물을 이온주입하는 공정과, 상기 필드산화막의 측면에 질화막을 형성하고 상기 실리콘 기판의 노출된 부분에 산화막을 성장하는 공정과, 상기 측면질화막을 제거하고 노출된 실리콘 기판을 건식식각하여 트렌치를 형성하는 공정과, 상기 필드산화막의 측벽과 트렌치의 내부에 측벽 산화막을 형성하고 열처리하여 상기 이온주입된 불순물을 매몰층까지 확산시켜 컬렉터 싱커를 형성한다. 따라서, 컬렉터 싱커 형성을 위한 열처리 공정시 불순물의 측면 확산을 억제함으로써, 불순물의 수평방향으로의 확산에 의한 항복전압의 감소를 방지하였으며, 트랜지스터의 항복전압을 증가시키기 위해 소자의 크기를 증가시키지 않는다.
Int. CL H01L 21/328 (2006.01)
CPC H01L 29/0821(2013.01) H01L 29/0821(2013.01) H01L 29/0821(2013.01)
출원번호/일자 1019950050110 (1995.12.14)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0155512-0000 (1998.07.15)
공개번호/일자 10-1997-0052979 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19981201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.14)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한태현 대한민국 대전광역시 유성구
2 이수민 대한민국 대전광역시 유성구
3 조덕호 대한민국 대전광역시 유성구
4 엄병렬 대한민국 대전광역시 유성구
5 편광의 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0194860-93
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0194861-38
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0194862-84
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0194863-29
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0194864-75
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0103000-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

제1전도형 불순물이 도핑된 실리콘 기판상의 트랜지스터가 제작되는 영역에 제2전도형 불순물이 도핑된 매몰층을 형성하는 공정과, 상기 실리콘 기판의 전면에 제2전도형 불순물이 첨가된 컬렉터 박막을 결정 성장하는 공정과, 상기 컬렉터 박막의 표면에 산화막과 산화방지용 질화막을 순차적으로 적층하고 상기 질화막을 제거하여 활성영역을 정의하는 공정과, 상기 질화막을 마스크로 하여 두꺼운 필드산화막을 성장하고 상기 질화막을 제거하는 공정과, 상기 필드산화막의 소정부분을 실리콘 기판이 노출되도록 제거하여 컬렉터 접점부분을 정의하고 상기 실리콘 기판이 노출된 부분에 제2전도형 불순물을 이온주입하는 공정과, 상기 필드산화막의 측면에 질화막을 형성하고 상기 실리콘 기판의 노출된 부분에 산화막을 성장하는 공정과, 상기 측면질화막을 제거하고 노출된 실리콘기판을 건식식각하여 트렌치를 형성하는 공정과, 상기 필드산화막의 측벽과 트렌치의 내부에 측벽산화막을 형성하고 열처리하여 상기 이온주입된 불순물을 매몰층까지 확산시켜 컬렉터 싱커를 형성하는 공정을 구비하는 쌍극자 트랜지스터의 컬렉터 싱커 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 필드산화막 성장시 완충 및 산화방지용 마스크로 열산화막과 질화막 사이에 다결정실리콘을 형성하는 것을 더 구비하는 쌍극자 트랜지스터의 컬렉터 싱커 형성방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 측벽산화막을 상기 트렌치 내부가 채워지도록 열산화막과 필드산화막의 상부에 산화막을 증착하고 건식식각하여 형성하는 쌍극자 트랜지스터의 컬렉터 싱커 형성방법

4 4

제3항에 있어서, 상기 건식식각시 상기 열산화막이 제거되어 상기 실리콘 기판이 노출되도록 과식각하는 쌍극자 트랜지스터의 컬렉터 싱커 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.