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반도체 장치 제작에서의 도펀트 활성화 방법

  • 기술번호 : KST2015096305
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 장치 제작에서의 도펀트 활성화 방법에 관한 것으로서, 모스 전계 효과 트랜지스터, 에스오아이 모스 전계 효과 트랜지스터 및 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 소스/드레인 형성을 위한 이온주입 후의 도펀트 활성화 공정을 질소(N2), 헬륨(He), 아르곤(Ar), 수소(H2), 산소(O2) 중 어느 한 기체, 또는 상기 기체 중에서 2종류 이상의 혼합기체로 이루어진 상압 이상의 고압(high pressure) 전기로에서 열처리하여 수행함으로써 도펀트 활성화에 필요한 전체적인 열처리 시간을 단축하고, 또한 열처리 온도를 저하시킬 수 있어 MOSFET와 SOI MOSFET에서 소스/드레인의 접합 깊이를 매우 얕게 할 수 있으며, 또한, 600℃ 이하의 저온 Poly-Si TFT 제작에서 도펀트의 활성화를 짧은 시간 내에 달성할 수 있어 Poly-Si TFT의 제조 생산성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/22 (2006.01)
CPC H01L 29/0843(2013.01) H01L 29/0843(2013.01) H01L 29/0843(2013.01) H01L 29/0843(2013.01)
출원번호/일자 1019950050522 (1995.12.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0178489-0000 (1998.11.23)
공개번호/일자 10-1997-0052100 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.15)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤호 대한민국 대전광역시 서구
2 조경익 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196310-40
2 특허출원서
Patent Application		 1995.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196308-58
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196309-04
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196311-96
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196312-31
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0103763-44
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.09.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196314-22
8 의견서
Written Opinion		 1998.09.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196313-87
9 등록사정서
Decision to grant		 1998.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0472056-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반도체 장치 제작에서 도펀트 활성화 방법에 있어서, 반도체 장치의 소스/드레인 형성을 위한 이온주입 후의 도펀트 활성화 공정을 질소(N2), 헬륨(He), 아르곤(Ar), 수소(H2), 산소(O2) 중 어느 한 기체로 이루어진 상압 이상의 고압(high pressure) 전기로에서 열처리하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제작에서의 도펀트 활성화 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 기체 중에서 2종류 이상의 혼합기체로 이루어진 상압 이상의 고압(high pressure) 전기로에서 열처리하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제작에서의 도펀트 활성화 방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반도체 장치는 모스 전계 효과 트랜지스터, 에스오아이 모스 전계 효과 트랜지스터, 다결정 실리콘 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제작에서의 도펀트 활성화 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.