요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약
본 발명은 하기 화학식(1)을 갖는 에티닐기를 갖는 불소 치환 폴리아릴렌 에테르계 고분자, 그의 제조방법 및 이를 사용하는 통상의 방법으로 광도파로형 광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상기 고분자는 주쇄 구조에서의 높은 불소 치환으로 분자 진동에 의한 물질 고유의 광통신 영역에서의 광흡수를 배제할 수 있으므로 고분자 광소자의 가장 큰 문제점인 광진행 손실을 크게 낮출 수 있다. 또한 고분자 말단에 열경화성 에티닐기가 도입됨으로 인해 고분자 매트릭스의 열가교를 통한 내화학성이 향상되어 다층 박막 공정이 가능하며, 500℃ 이상에서도 열적으로 분해 및 승화되지 않는 열안정성이 뛰어난 우수한 광도파로형 광소자를 제조할 수 있다.(화학식 1)
데카풀루오로바이페닐 화합물과 방향족 디올 유도체를 열축중합시켜 말단에 풀루오로페닐기가 위치한 폴리아릴렌 에테르를 제조하는 단계와, 상기한 폴리머에 에티닐 페놀 유도체를 고분자 말단에 치환하는 단계를 포함하는 하기 화학식 (1)로 표시되는 에티닐기를 갖는 불소 치환 폴리아릴렌에테르의 제조방법:
(화학식 1)
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데카풀루오로벤조페논 화합물과 방향족 디올 유도체를 열축중합시켜 말단에 풀루오로페닐기가 위치한 폴리아릴렌 에테르를 제조하는 단계와, 상기한 폴리머에 에티닐 페놀 유도체를 고분자 말단에 치환하는 단계를 포함하는 하기 화학식 (1)로 표시되는 에티닐기를 갖는 불소 치환 폴리아릴렌에테르의 제조방법:
(화학식 1)
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실리콘 기판 상에 형성된 하부 클래딩층과, 상기한 하부 클래딩 상에 형성된 코어층과, 상기한 코어층 상에 형성된 상부 클래딩층을 포함하는 광도파로형 광소자에 있어서, 상기한 코어층이 하기 화학식 (1)로 표시되는 에티닐기를 갖는 불소 치환 폴리아릴렌 에테르인 것이 특징인 광도파로형 광소자:
(화학식 1)
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특허 등록번호
10-0226442-0000
권리란
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표시번호
사항
1
출원 연월일 : 19971024
출원 번호 : 1019970054781
공고 연월일 : 19991015
공고 번호 :
특허결정(심결)연월일 : 19990526
청구범위의 항수 : 5
유별 : C08G 65/48
발명의 명칭 : 열 경화성 에티닐기를 갖는 불소 치환 폴리아릴렌 에테르, 그의제조방법 및 그를 이용한 광소자
존속기간(예정)만료일 : 20040728
특허권자란
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