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두 파장용 편광 광 분할기 및 그 제작방법

  • 기술번호 : KST2015096317
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 193nm 파장의 ArF 엑시머 레이저를 조명 광원으로 이용한 미세 패턴 노광 장비의 광학계에 소요되는 S-파는 반사시키고, P-파는 투과시키는 편광 광 분할기와 그 제작방법에 관한 것이다. 본 광학계에서는 미세패턴을 형성시키기 위한 조명광으로 ArF 엑시머 레이저를 사용하는 외에 웨이퍼, 광학계, 레티클을 서로 정렬시키기 위한 정렬용 Ar 레이저가 동시에 이용되고 있다. Ar 엑시머 레이져의 출력파장인 193nm에서는 기존에 사용하던 박막물질은 흡수 계수가 커서 불투명하므로 사용이 불가능하다. 또한, 일반적으로 이 발명에서와 같이 ArF 엑시머 레이저 출력 파장과 정렬광인 Ar 레이저 출력 파장에서 동시에 광 분할기의 성능을 갖도록 하는 것은 어렵다고 알려져 있다. 본 발명에서는 193nm에서 흡수가 적은 유전체 물질을 사용하여 한쪽 프리즘의 빗면에 굴절률이 높은 물질과 낮은 물질을 교대로 층착하되, 그 층수와 두께를 조절하여 다층 코팅한 후, 두 프리즘의 빗면을 옵티칼 콘택트(optical contact)에 의해 부착시키는 방법을 이용하여 두 파장용 편광 광 분할기 성능을 갖는 광학 부품을 제작하는 방법과 그 분할기를 제안하고 있다.
Int. CL G02B 1/10 (2006.01)
CPC G02B 1/10(2013.01) G02B 1/10(2013.01) G02B 1/10(2013.01)
출원번호/일자 1019970054786 (1997.10.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0276081-0000 (2000.09.26)
공개번호/일자 10-1999-0033429 (1999.05.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.10.24)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종수 대한민국 대전광역시 서구
2 최상수 대한민국 대전광역시 유성구
3 정해빈 대한민국 대전광역시 유성구
4 유형준 대한민국 대전광역시 유성구
5 이각현 대한민국 대전광역시 유성구
6 김도훈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.10.24 수리 (Accepted) 1-1-1997-0173557-06
2 특허출원서
Patent Application		 1997.10.24 수리 (Accepted) 1-1-1997-0173555-15
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.10.24 수리 (Accepted) 1-1-1997-0173556-50
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0056398-29
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2000-5146902-78
6 의견서
Written Opinion		 2000.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2000-5179295-13
7 등록사정서
Decision to grant		 2000.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0168013-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

193nm 파장의 ArF 엑시머 레이저 출력 파장에 대해서 편광 광 분할기의 기능을 가지도록 한쌍의 프리즘중에 일측프리즘의 한쪽 빗면에 굴절률이 높은 물질과 낮은 물질을 그 층수와 두께를 조절하여 교대로 다층코팅하여 [HL]mH의 구조로 프리즘에 부착하되, ArF 엑시머 레이저 출력 파장에 대하여는 편광 광분할을 하고, 정렬광인 Ar 레이저 출력 파장에서는 광분할하도록 흡수가 적은 고굴절률 유전체 물질과 저굴절률 유전체 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 두 파장용 편광 광 분할기의 제작방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 흡수가 적은 고굴절률 물질은 LaF3를 이용하고,

상기 흡수가 적은 저굴절률 물질은 Cryolite(Na3AlF6)를 이용하는 것을 특징으로 하는 두 파장용 편광 광 분할기의 제작방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 흡수가 적은 고굴절률 물질은 LaF3를 이용하고,

상기 흡수가 적은 저굴절률 물질은 CaF2를 이용하는 것을 특징으로 하는 두 파장용 편광 광 분할기의 제작방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 흡수가 적은 고굴절률 물질은 LaF3를 이용하고,

상기 흡수가 적은 저굴절률 물질은 MgF2를 이용하는 것을 특징으로 하는 두 파장용 편광 광 분할기의 제작방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 흡수가 적은 고굴절률 물질은 BaF3를 이용하고,

상기 흡수가 적은 저굴절률 물질은 MgF2를 이용하는 것을 특징으로 하는 두 파장용 편광 광 분할기의 제작방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 흡수가 적은 고굴절률 물질은 BaF2를 이용하고,

상기 흡수가 적은 저굴절률 물질은 CaF2를 이용하는 것을 특징으로 하는 두 파장용 편광 광 분할기의 제작방법

7 7

제 1 항에 있어서,

상기 흡수가 적은 고굴절률 물질은 ThF4를 이용하고,

상기 흡수가 적은 저굴절률 물질은 CaF2를 이용하는 것을 특징으로 하는 두 파장용 편광 광 분할기의 제작방법

8 8

제 1 항에 있어서,

상기 흡수가 적은 고굴절률 물질은 ThF4를 이용하고,

상기 흡수가 적은 저굴절률 물질은 Cryolite(Na3AlF6)를 이용하는 것을 특징으로 하는 두 파장용 편광 광 분할기의 제작방법

9 9

193nm 파장의 ArF 엑시머 레이저 출력 파장에 대해서 편광 광 분할기의 기능을 가지도록 한쌍의 프리즘중에 일측프리즘의 한쪽 빗면에 굴절률이 높은 물질과 낮은 물질을 그 층수와 두께를 조절하여 교대로 다층코팅하여 [HL]mH의 구조로 프리즘에 부착하되, ArF 엑시머 레이저 출력 파장에 대하여는 편광 광분할을 하고, 정렬광인 Ar 레이저 출력 파장에서는 광분할하도록 흡수가 적은 고굴절률 유전체 물질과 저굴절률 유전체 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 두 파장용 편광 광 분할기

10 10

제 9 항에 있어서,

상기 고굴절률 물질은 LaF3를 이용하고,

상기 흡수가 적은 저굴절률 물질은 Cryolite(Na3AlF6)를 이용하는 것을 특징으로 하는 두 파장용 편광 광 분할기

11 11

제 9 항에 있어서,

상기 흡수가 적은 고굴절률 물질은 LaF3를 이용하고,

상기 흡수가 적은 저굴절률 물질은 CaF2를 이용하는 것을 특징으로 하는 두 파장용 편광 광 분할기

12 12

제 9 항에 있어서,

상기 흡수가 적은 고굴절률 물질은 LaF3를 이용하고,

상기 흡수가 적은 저굴절률 물질은 MgF2를 이용하는 것을 특징으로 하는 두 파장용 편광 광 분할기

13 13

제 9 항에 있어서,

상기 흡수가 적은 고굴절률 물질은 BaF3를 이용하고,

상기 흡수가 적은 저굴절률 물질은 MgF2를 이용하는 것을 특징으로 하는 두 파장용 편광 광 분할기

14 14

제 9 항에 있어서,

상기 흡수가 적은 고굴절률 물질은 BaF2를 이용하고,

상기 흡수가 적은 저굴절률 물질은 CaF2를 이용하는 것을 특징으로 하는 두 파장용 편광 광 분할기

15 15

제 9 항에 있어서,

상기 흡수가 적은 고굴절률 물질은 ThF4를 이용하고,

상기 흡수가 적은 저굴절률 물질은 CaF2를 이용하는 것을 특징으로 하는 두 파장용 편광 광 분할기

16 16

제 9 항에 있어서,

상기 흡수가 적은 고굴절률 물질은 ThF4를 이용하고,

상기 흡수가 적은 저굴절률 물질은 Cryolite(Na3AlF6)를 이용하는 것을 특징으로 하는 두 파장용 편광 광 분할기

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.