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전자빔 승화 및 산화를 이용한 단전자 트랜지스터의제조 방법.

  • 기술번호 : KST2015096332
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자빔 승화(sublimation) 및 산화 공정을 이용하여 금속-절연체-금속의 초미세 터널링 접합을 형성하고, 이를 이용한 전자빔 승화 및 산화를 이용한 단전자 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명의 단전자 트랜지스터의 제조 공정은 실리콘 기판 상에 수 천Å의 실리콘 산화막을 입히고, 전자빔 리소그래피와 리프트오프(lift-off) 방법을 사용하여 수십Å 두께의 알루미늄 산화막(Al2O3)과 같은 전자 감광층(electron sensitive layer) 및 수십Å 두께의 알루미늄층으로 된 양자 세선을 형성하는 제 1 공정, 상기 결과물에 전자빔 주사하여 전자빔에 의하여 산화막을 승화(sublimation)시키는 제 2 공정, 상기의 승화(sublimation)에 의해 노출된 금속을 산화시킴으로써 소스(source)와 양자점(quantum dot), 그리고 양자점과 드레인(drain)을 형성하는 제 3 공정으로 이루어진다.
Int. CL H01L 27/092 (2006.01)
CPC H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01)
출원번호/일자 1019970065334 (1997.12.02)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0250439-0000 (2000.01.04)
공개번호/일자 10-1999-0047098 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.02)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경완 대한민국 대전광역시 유성구
2 신민철 대한민국 대전광역시 중구
3 오상철 대한민국 대전광역시 유성구
4 박문호 대한민국 대전광역시 유성구
5 이성재 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.12.02 수리 (Accepted) 1-1-1997-0205163-16
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.02 수리 (Accepted) 1-1-1997-0205164-51
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.02 수리 (Accepted) 1-1-1997-0205165-07
4 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0381168-32
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리콘 기판상에 열 산화 공정에 의한 실리콘 산화막을 형성하고, 전자빔 레지스터 및 전자빔 묘화 공정을 실시한 후, 알루미늄막 및 산화 알루미늄막을 증착하여 산화 알루미늄막/알루미늄막의 양자 세선의 소오스, 드레인, 게이트 및 상기 소오스 및 상기 드레인을 연결한 막대기 구조를 형성하는 단계와,

상기 소오스 및 상기 드레인을 연결한 막대기 구조의 선택된 산화 알루미늄막에 전자빔 승화 공정을 실시하여 상기 알루미늄막이 노출되도록 홈을 형성하여 상기 소오스 및 상기 드레인 사이에 양자점을 형성하는 단계와,

노출된 상기 알루미늄막이 산화되도록 열처리하여 상기 소오스 및 상기 양자점, 상기 양자점 및 드레인 사이에 각각 터널링 접합을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전자빔 승화 및 산화를 이용한 단전자 트랜지스터의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.