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고분자 박막의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015096387
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자의 광표백 특성을 이용하여 양질의 다층 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.고분자 박막의 표면에 적절한 시간 동안 광표백을 하면 소자의 광학적 특성에는 영향을 주지 않고 박막의 표면만 화학적, 기계적 특성이 변하게 된다.따라서 다층 박막 형성시 나타나는 용매에 의한 깨어짐이나 녹음, 각층들 사이의 기게적 인장강도의 차이에 의한 깨어짐 등을 방지하여 깨끗한 다층의 박막을 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 31/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019950053644 (1995.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0199023-0000 (1999.03.03)
공개번호/일자 10-1997-0054466 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.21)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김장주 대한민국 대전광역시 유성구
2 황월연 대한민국 대전광역시 유성구
3 정태형 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207300-42
2 특허출원서
Patent Application		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207299-83
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207301-98
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207302-33
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207303-89
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0109481-14
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1998.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0755048-94
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1995-0758619-79
9 의견서
Written Opinion		 1998.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1995-0758620-15
10 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1995-0758621-61
11 등록사정서
Decision to grant		 1998.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0482103-75
12 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1999.03.10 수리 (Accepted) 1-1-1999-5105834-28
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판위에 하부전극을 형성하는 제1과정; 상기 하부 전극 위에 도파층보다 낮은 굴절율을 가지면서 자외선 또는 가시광선 영역에서 광흡수대가 있는 고분자 하부 클래딩을 스핀 코팅하여 형성하는 제2과정; 상기 하부 클래딩을 도파층 흡수대역에 있는 파장의 빛으로 광표백을 하여 박막의 표면 고분자들의 결합을 끊거나, 화학적 결합 상태를 달리함으로서 박막의 표면 상태를 변경하는 제3과정; 상기 하부 클래딩 위에 자외선 또는 가시광선 영역에서 광흡수대가 있는 고분자 도파층을 형성하는 제4과정; 상기 도파층을 도파층 물질의 흡수대역에 있는 파장의 빛으로 광표백을 하여 박막의 표면 고분자들의 결합을 끊거나, 화학적 결합 상태를 달리함으로서 박막의 표면 상태를 변경하는 제5과정; 상기 도파층 위에 도파층보다 낮은 굴절율을 갖는 상부 클래딩을 형성하는 제6과정; 및 상기 상부 클래딩 위에 상부 전극을 형성하는 제7과정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 다층 박막의 형성 방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US05763289 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 DE19638680 DE 독일 DOCDBFAMILY
2 DE19638680 DE 독일 DOCDBFAMILY
3 US5763289 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.