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표면발광레이저

  • 기술번호 : KST2015096389
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 갈륨비소(GaAs) 기판위에 알루미늄 비소(AlAs)와 갈륨비소(GaAs) 초격자거울(distributed Brag reflector)을 하단부에 성장시키고 그 위에 조성 그레이딩방법으로 인디움갈륨비소(InGaAs) 버퍼층을 성장시킨 후, 격자 부정합이 크나 전위없는 인디움 인(InP)층과 활성층인 인디움갈륨비소(InGaAs) 양자우물구조(quantum well)를 성장시키고 그 위에 인디움알루미늄비소(InAlAs)와 인디움갈륨비소(InGaAs) 초격자거울을 생성하는 방법이다.하단부 거울은 굴절율 차이가 크며 열전도율이 매우 좋아 구조상 이상적이며 활성층과 상단부거울은 광자와 전자의 구속력이 좋고 굴절율 차이도 비교적 좋아 상단부로 레이징하기에 적합하며 상온 연속발진이 가능하다.
Int. CL H01S 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019950052636 (1995.12.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0178490-0000 (1998.11.23)
공개번호/일자 10-1997-0054968 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.20)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이번 대한민국 대전광역시 유성구
2 백종협 대한민국 대전광역시 유성구
3 최성우 대한민국 대전광역시 유성구
4 이진홍 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203625-82
2 특허출원서
Patent Application		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203624-36
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203626-27
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203627-73
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203628-18
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0107450-52
7 의견서
Written Opinion		 1998.09.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203630-11
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.09.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203629-64
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.09.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203631-56
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0472062-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

갈륨비소 기판; 상기 기판 위에 반사율이 1인 AlAs/GaAs 이종박막이 다층으로 성장된 하단 거울; 상기 하단 거울 위에 하단 거울과 격자 부정합이 큰 우물구조의 InxGa1-xAs(x=0에서 0

2 2

갈륨비소 기판; 상기 기판 위에 반사율이 1이며, AlAs/GaAs로 이루어진 이종박막이 다층으로 성장된 하단 거울; 상기 하단 거울 위에 하단 거울과 격자 부정합이 큰 InxGa1-xAs (x=0에서 0

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US05883911 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US5883911 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.