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요약
본 발명은 반도체 소자의 제조를 위한 활성화 공정으로 얕은 접합을 형성하기 위한 것으로, 기본적으로 엑티브(active) 웨이퍼 영역내에서의 우수한 온도의 균일성과 재현성이 요구되고, 또한 이온 주입 공정변수들이 광범위한 영역에서 엄격하게 제어하기 위한 공정변수의 민감도 분석에 의한 최적 활성화 공정에 관한 것이다.
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번호
이름
국적
주소
1
한국전자통신연구원
대한민국
대전광역시 유성구
발명자
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번호
이름
국적
주소
1
김윤태
대한민국
대전광역시 유성구
2
전치훈
대한민국
대전광역시 유성구
3
백종태
대한민국
대전광역시 유성구
대리인
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번호
이름
국적
주소
1
김영길
대한민국
서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2
원혜중
대한민국
서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3
이화익
대한민국
서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4
김명섭
대한민국
서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)
최종권리자
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번호
이름
국적
주소
1
한국전자통신연구원
대한민국
대전광역시 유성구
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번호
서류명
접수/발송일자
처리상태
접수/발송번호
1
특허출원서 Patent Application
1995.12.21
수리 (Accepted)
1-1-1995-0207422-14
2
대리인선임신고서 Notification of assignment of agent
1995.12.21
수리 (Accepted)
1-1-1995-0207423-59
3
출원심사청구서 Request for Examination
1995.12.21
수리 (Accepted)
1-1-1995-0207424-05
4
출원인정보변경 (경정)신고서 Notification of change of applicant's information
1997.05.07
수리 (Accepted)
1-1-1995-0207425-40
5
대리인선임신고서 Notification of assignment of agent
1997.08.25
수리 (Accepted)
1-1-1995-0207426-96
6
등록사정서 Decision to grant
1998.07.23
발송처리완료 (Completion of Transmission)
1-5-1995-0109536-26
7
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
2001.04.19
수리 (Accepted)
4-1-2001-0046046-20
8
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
2002.08.08
수리 (Accepted)
4-1-2002-0065009-76
9
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
2009.08.04
수리 (Accepted)
4-1-2009-5150899-36
10
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
2015.02.02
수리 (Accepted)
4-1-2015-0006137-44
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번호
청구항
1
1
활성화 공정변수들의 민감도를 식(1)에 의해 분석하는 제1공정과; 상기 제1공정을 통하여 분석되어진 데이타를 사용하여 공정 결과의 편차를 최소화할 수 있는 공정변수의 영역을 검출하는 제2공정과; 상기 제2공정에서 검출된 공정변수의 영역에 이온 주입 불순물의 활성화에 의해 최적화된 저항율을 산출하는 제3과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 공정의 공정변수의 민감도 분석에 의한 최적 활성화 공정:
2
제1항에 있어서, 민감도와 표면저항 값의 편차로부터 이온 주입 에너지, 이온주입 불순물의 종류, 열처리 시간등의 이온주입 및 활성화 관련 공정변수의 민감도 분석과 이에 의해 오차범위를 최소로 하는 공정변수의 범위를 결정하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 공정의 공정변수의 민감도 분석에 의한 최적 활성화 공정
3
3
제2항에 있어서, 이온주입 농도에 대한 표면저항의 민감도를 식(3)으로 결정하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 공정의 공정변수의 민감도 분석에 의한 최적 활성화 공정:
4
임의의 공정 조건에서의 제한된 갯수의 측정 데이타를 실험에 의해 산출하는 제1공정과; 이들 데이타의 수학적인 적합성(fitting)에 의해 실험결과인 표면저항을 나타내는 실험식을 산출하는 제2공정과; 상기 제2공정에서 산출된 실험식에 의해 민감도를 구하는 제3과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 공정의 공정변수의 민감도 분석에 의한 최적 활성화 공정
5
5
제4항에 있어서, 민감도와 표면저항 값의 편차로부터 이온 주입 에너지, 이온주입 불순물의 종류, 열처리 시간등의 이온주입 및 활성화 관련 공정변수의 민감도 분석과 이에 의해 오차범위를 최소로 하는 공정변수의 범위를 결정하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 공정의 공정변수의 민감도 분석에 의한 최적 활성화 공정
6
6
제5항에 있어서, 이온주입 농도에 대한 표면저항의 민감도를 식(3)으로 결정하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 공정의 공정변수의 민감도 분석에 의한 최적 활성화 공정:
7
민감도와 표면저항 값의 편차로부터 웨이퍼 전체에 걸친 이온 주입량 및 열처리 온도 등의 표준편차(σD/D, σT/T %)를 산출하는 제1공정과; 상기 제1공정을 통하여 산출되어진 데이타를 사용하여 오차범위를 최소로 하는 공정변수의 범위를 결정하는 제2공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 공정의 공정변수의 민감도 분석에 의한 최적 활성화 공정
8
8
제7항에 있어서, 민감도와 표면저항 값의 편차로부터 이온 주입 에너지, 이온주입 불순물의 종류, 열처리 시간등의 이온주입 및 활성화 관련 공정변수의 민감도 분석과 이에 의해 오차범위를 최소로 하는 공정변수의 범위를 결정하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 공정의 공정변수의 민감도 분석에 의한 최적 활성화 공정
9
9
제8항에 있어서, 이온주입 농도에 대한 표면저항의 민감도를 식(3)으로 결정하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 공정의 공정변수의 민감도 분석에 의한 최적 활성화 공정:
10
활성화 공정의 결과인 표면저항 곡선을 식(2)에 의하여 표시하는 제1공정과; 상기 제1공정을 통하여 표시된 표면저항 곡선을 통하여 민감도를 결정하는 제2공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 공정의 공정변수의 민감도 분석에 의한 최적 활성화 공정:
11
제10항에 있어서, 민감도와 표면저항 값의 편차로부터 이온 주입 에너지, 이온주입 불순물의 종류, 열처리 시간등의 이온주입 및 활성화 관련 공정변수의 민감도 분석과 이에 의해 오차범위를 최소로 하는 공정변수의 범위를 결정하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 공정의 공정변수의 민감도 분석에 의한 최적 활성화 공정
12
12
제11항에 있어서, 이온주입 농도에 대한 표면저항의 민감도를 식(3)으로 결정하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 공정의 공정변수의 민감도 분석에 의한 최적 활성화 공정:
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.
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데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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특허 등록번호
10-0160915-0000
권리란
표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호
사항
1
출원 연월일 : 19951221
출원 번호 : 1019950053667
공고 연월일 : 19990201
공고 번호 :
특허결정(심결)연월일 : 19980723
청구범위의 항수 : 12
유별 : H01L 21/328
발명의 명칭 : 공정변수의 민감도 분석에 의한 최적 활성화공정
존속기간(예정)만료일 : 20040821
특허권자란
순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
