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이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015096397
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 에피구조에 있어서, 에미터 메사식각시 식각되지 않는 에미터캡층을 이용하여 베이스 전극이 에미터전극에 대해 완전한 자기정렬이 이루어지도록 한 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 반절연성 화합물 반도체기판 상부에 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층, 제1 및 제2에미터캡층을 순차적으로 결정성장하는 제1과정과, 제2에미터 캡층 상부의 소정 부분에 에미터 전극을 형성하고, 에미터 전극을 마스크로 하여 제1에미터캡층이 노출되도록 제2에미터캡층을 이방성식각하는 제2과정과, 에미터 전극과 잔류하는 제2에미터캡층을 마스크로 하여 베이스층이 노출되도록 제1에미터캡층과 에미터층을 등방성으로 메사식각하는 제3과정과, 베이스층 상부의 소정 부분에 에미터 전극과 자기정렬되도록 베이스 전극을 형성하는 제4과정과, 베이스전극이 형성되지 않은 부분의 베이스층과 컬렉터층을 부컬렉터층이 노출되도록 메사식각하고 부컬렉터층 상부의 소정 부분에 컬렉터 전극을 형성하는 제5과정과, 부컬렉터층의 소정 부분에 반도체기판과 겹쳐지도록 소자분리영역을 형성하는 제6과정을 포함하는 것을 그 특징으로 하며, 외부의 기생저항을 줄이고 고속특성이 향상된 HBT 소자를 제작할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 29/70 (2006.01)
CPC H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01)
출원번호/일자 1019950053684 (1995.12.21)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0198457-0000 (1999.03.02)
공개번호/일자 10-1997-0054347 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성호 대한민국 대전광역시 유성구
2 이태우 대한민국 대전광역시 서구
3 송기문 대한민국 서울특별시 서초구
4 박문평 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207520-80
2 특허출원서
Patent Application		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207519-33
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207521-25
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207522-71
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207523-16
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0109573-16
7 의견서
Written Opinion		 1998.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1995-0757706-75
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1995-0757705-29
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1995-0757707-10
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0482105-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반절연성 화합물 반도체기판 상부에 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층, 제1 및 제2에미터캡층을 순차적으로 결정성장하는 제1과정과; 상기 제2에미터캡층 상부의 소정 부분에 에미터 전극을 형성하고, 상기 에미터 전극을 마스크로 하여 상기 제1에미터 캡층이 노출되도록 상기 제2에미터캡층을 이방성식각하는 제2과정과; 상기 에미터 전극과 상기 잔류하는 제2에미터캡층을 마스크로 하여 상기 베이스층이 노출되도록 상기 제1에미터캡층과 에미터층을 등방성으로 메사식각하는 제3과정과; 상기 베이스층 상부의 소정 부분에 상기 에미터 전극과 자기정렬되도록 베이스 전극을 형성하는 제4과정과; 상기 베이스 전극이 형성되지 않은 부분의 상기 베이스층과 상기 컬렉터층을 상기 부컬렉터층이 노출되도록 메사식각하고 상기 부컬렉터층 상부의 소정 부분에 컬렉터 전극을 형성하는 제5과정과 및 상기 반도체기판과 겹쳐지도록 상기 부컬렉터층의 소정 부분에 소자분리영역을 형성하는 제6과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

2 2

제1항 있어서, 상기 제2에미터캡층이 인산/과산화수소수/순소로 구성된 인산 중심의 화학용액에 의해 이방성식각되는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 제1에미터캡층과 상기 에미터층이 암모니아수/과산화수소수/순수로 구성된 암모니아수 중심의 화학용액에 의해 등방성식각되는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.