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금속 그물 망 게이트 구조의 발광 다이오드 및그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015096403
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 금속 망 게이트 구조를 갖는 발광 다이오드와 그 제조 방법에 관한 것이다.반도체의 PN 접합 부분을 발광 영역으로 이용하는 본 발명에 따른 발광 다이오드는, 발광 영역의 상부에 금속의 그물 망 게이트를 형성하고 이 게이트에 음전압을 인가함으로써, 게이트 밑 부분의 발광을 제한하여 PN 접합의 발광 영역의 크기를 극한적으로 구속한다. 이러한 발광 영역의 극한적 구속에 따른 양자 구속 효과에 의하여, 반도체의 밴드갭이 증가하게 되어 PN 접합에서 발광하는 빛의 에너지가 변화하게 된다. 즉, 한 개의 발광 다이오드로 게이트의 전압에 의하여 발광하는 빛의 파장을 변화하는 발광 다이오드에 관한 것이다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1019970062897 (1997.11.25)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1999-0042174 (1999.06.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성재 대한민국 서울특별시 서초구
2 박문호 대한민국 대전광역시 유성구
3 신민철 대한민국 대전광역시 중구
4 박경완 대한민국 대전광역시 유성구
5 오상철 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1997-0198027-49
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1997-0198028-95
3 특허출원서
Patent Application		 1997.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1997-0198026-04
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0381278-56
5 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2000.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0121396-42
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

인가되는 역방향 전압에 따라 하부의 PN 접합에서 발광되는 영역의 크기가 정의되며, 그 영역의 크기에 따른 양자구속 효과가 발생하도록 PN 접합 다이오드 상부에 형성된 금속 그물 망 게이트를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 금속 그물 망 게이트 구조의 발광 다이오드

2 2

반도체 기판 상에 반도체 기판과 반대 타입 형성을 위한 불순물 이온을 주입하여 PN 접합 다이오드를 형성하는 단계와,

상기 PN 접합 다이오드에 오오믹 접촉을 형성한 후, 상기 PN 접합 다이오드 상부에 금속 그물 망 모양의 게이트를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 그물 망 게이트 구조의 발광 다이오드 제조 방법

3 3

제 2 항에 있어서,

상기 이온 주입은 주입된 불순물 이온의 농도가 1018/㎤ 이상이 되도록 실시하는 것을 특징으로 하는 금속 그물 망 게이트 구조의 발광 다이오드 제조 방법

4 4

제 2 항에 있어서,

상기 오오믹 접촉은 리프트-오프 공정에 의하여 형성된 오오믹 금속을 350 ℃ 내지 400 ℃ 온도 영역의 열처리에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 그물 망 게이트 구조의 발광 다이오드 제조 방법

5 5

제 2 항에 있어서,

상기 금속 그물 망 게이트는 순차적으로 증착된 니켈(Ni)과 금(Au) 또는 증착된 알루미늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속 그물 망 게이트 구조의 발광 다이오드 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.