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멤즈 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015096440
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 진공 밀봉이 요구되는 멤즈 소자의 형성시, 웨이퍼위에 형성된 모든 소자를 한꺼번에 진공 밀봉하고 또한 진공 성능을 높일 수 있는 진공 밀봉 방법을 사용하는 멤즈 소자의 제조 방법을 제공한다.SOI 하부 실리콘(21)상에 절연 산화막(22)과 상부 실리콘(23)을 증착하고, 상부 실리콘 및 절연 산화막을 식각하여 트랜치(27)를 형성하는 것에 의해 가동 구조체(24)와 실리콘 전극(25)을 형성하여 멤즈소자의 영역을 정의하고, 실리콘 전극(25)상에 절연막(32)과 완충막(33)을 개재한 금속배선(34)을 형성한 후, 가동 구조체(24)의 영역을 제외한 전 표면상에 평탄화된 접착용 산화막(35)을 형성하고, 가동구조체(24)의 하부의 절연 산화막(22)과 실리콘 전극(25)측면의 트랜치 내부의 절연막(32)을 제거하여 멤즈소자 구조체을 정의한 후, 진공상태에서 유리기판(38)을 접착용 산화막(35)에 진공상태에서 접착하여 가동구조체(24) 및 실리콘 전극(25)이 진공상태에 있는 멤즈소자를 제조한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/56(2013.01)
출원번호/일자 1019970070302 (1997.12.19)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0249790-0000 (1999.12.28)
공개번호/일자 10-1999-0051063 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.19)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종현 대한민국 대전광역시 유성구
2 장원익 대한민국 대전광역시 유성구
3 최창억 대한민국 대전광역시 유성구
4 백종태 대한민국 대전광역시 유성구
5 김보우 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 벨로이 서울특별시 송파구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1997.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1997-0219911-23
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1997-0219912-79
3 출원심사청구서
Request for Examination
1997.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1997-0219913-14
4 등록사정서
Decision to grant
1999.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0378619-51
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

하부 실리콘 기판(21)상에 절연 산화막(22)과 상부 실리콘(23)을 차례로 증착하고, 상기 상부 실리콘(23) 및 절연 산화막(22)을 선택적으로 식각하여 상기 하부 실리콘 기판(21)을 노출시키는 트랜치(27)를 형성하는 것에 의해 가동 구조체(24) 및 실리콘 전극(25)패턴을 가지는 멤즈 소자 구조체를 정의하는 공정과,

상기 실리콘 전극(25)의 측면 트랜치(27) 및 실리콘 전극(25)과 상부 실리콘(23)표면상에 소정의 폭을 가지는 절연막(32) 및 완충막(33)을 형성하는 공정과,

상기 절연막(32)과 완충막(33)을 소정의 폭으로 제거하여 실리콘 전극(25)을 노출시키는 개구를 형성하고, 상기 완충막(33)상에 금속 배선(34)을 형성하는 공정과,

상기 가동 구조체(24)의 형성영역과 금속 배선(34)의 소정영역을 제외한 전표면상에 표면이 평탄화된 접착용 산화막(35)을 형성하는 공정과,

상기 가동 구조체(24)의 하부의 절연 산화막(22)과 트랜치(27)내의 절연막(32)을 제거하는 공정과,

상기 접착용 산화막(35)의 표면에 유리기판(38)을 진공상태에서 합착시키는 공정을 포함하는 멤즈 소자의 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 유리기판(38)상에 감광막 패턴을 형성하고, 유리기판을 식각하여 금속배선(34)을 노출시키는 공정을 더욱 포함하는 멤즈소자의 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 절연막(32)은 SOG, BPSG, LTO, PECVD를 포함하는 산화막으로 이루어지는 멤즈 소자의 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 접착용 산화막(35)은 PECVD, LTO를 포함하는 산화막으로 이루어지는 멤즈 소자의 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 SOI 실리콘 기판(21)으로서 폴리실리콘 기판을 사용하는 멤즈 소자의 제조 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 유리 기판(38)의 하면중 가동 구조체(24)에 대응하는 영역에 게터(29)을 형성하는 멤즈소자의 제조 방법

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패밀리정보가 없습니다
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