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직접 식각 조정 방법에 의한 뒷면 비아-홀의제작 방법

  • 기술번호 : KST2015096441
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 균일하고 제어성이 좋은 뒷면 via- hole 을 제조하는 제조 방법을 제공하기 위한 것이다. 본 발명은, 소자 및 회로 기판(1)에는 활성층(2)와 전면 금속층(3)으로 주로 구성되어 있고, 표면에 보호막을 입혀, 고온 왁스(4)로 투명 지지 기판(5)에 접착 하고 , 비아-홀 영역(10a)과 창 영역(10b)이 있는 마스크(10)를 사용하여, 감광막(8)의 표면에 패턴을 형성하고, Ni금속을 증착한 후 리프트 오프 공정으로 Ni 보조 마스크(9)를 형성하고, 모니터용 창(11)을 만든다. 그 위에 다시 감광막을 입히고, 비아-홀 용 마스크(10)을 사용하여 비아홀 식각용 패턴(12)과, 식각 모니터용 창(11a)을 형성 하고, 비아홀용 감광막 마스크(12)와 Ni금속 마스크(9)를 사용하여 식각함으로써, 식각된 비아-홀부분(13)과 식각된 비아-홀 창(14), (14a), (14b)을 형성한다. 그리고, 식각 마스크인 감광막 및 Ni 금속 마스크를 제거하고, 베이스 금속(15)를 증착하여 전기 도금 방법으로 금(15), (15a)를 도금하며, 이후, 투명 지지대(5)를 탈착하고 세척을 하여 완료한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 창을 사용하여 비아-홀의 식각 완료점을 정확하게 찾아내고 2회의 리소그라피 공정을 사용하여 뒷면 비아-홀의 마스크를 안정함으로서, 웨이퍼 내에서 균일하고 재현성 있는 뒷면 비아-홀을 얻을 수 있게 된다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01)
출원번호/일자 1019970070307 (1997.12.19)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0281636-0000 (2000.11.20)
공개번호/일자 10-1999-0051068 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.19)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진희 대한민국 대전광역시 유성구
2 박병선 대한민국 대전광역시 유성구
3 윤형섭 대한민국 대전광역시 유성구
4 박철순 대한민국 대전광역시 유성구
5 편광의 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1997.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1997-0219928-09
2 특허출원서
Patent Application
1997.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1997-0219926-18
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1997-0219927-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2000.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0025070-44
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2000.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2000-5105643-42
6 의견서
Written Opinion
2000.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2000-5135292-67
7 등록사정서
Decision to grant
2000.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0230975-02
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판의 뒷면에 비아-홀을 형성하는 뒷면 비아-홀의 제작 방법에 있어서,

다수의 비아-홀 영역과, 식각 상태를 모니터링하기 위한 창 영역이 함께 형성된 마스크를 이용하여 비아-홀 형성을 위한 식각패턴을 형성하여 식각 완료점을 모니터 하면서 비아-홀을 제작하는 것을 특징으로 하는 직접 식각 조정 방법에 의한 뒷면 비아-홀의 제작 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 마스크를 이용하여 비아-홀을 식각할때에,

기판의 비아-홀을 형성할 표면에 감광막을 도포한후, 상기 마스크를 사용하여 비아홀 영역 및 비아-홀 식각 모니터용 창을 갖는 식각 패턴을 형성하고, Ni금속을 증착한 후 리프트 오프 공정으로 Ni 보조 마스크를 형성한 후, 상기 감광막에 의한 식각 패턴과 상기 Ni 금속 마스크를 이용하여 식각하고, 상기 비아-홀 식각 모니터용 창을 통해서 식각 완료점을 모니터 하여 비아-홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 직접 식각 조정 방법에 의한 뒷면 비아-홀의 제작 방법

3 3

소자 및 회로 기판(1)에 활성층(2)와 전면 금속층(3)을 형성하고, 표면 보호막을 입혀, 고온 왁스(4)로 투명 지지 기판(5)에 접착 하는 단계와,

비아-홀 영역(10a)과 창 영역(10b)이 형성된 별도의 마스크(10)을 사용하여, 상기 기판(1)의 뒷면에 도포된 감광막(8)의 표면에 패턴을 형성하고, Ni 금속(9)을 증착한 후 리프트 오프 공정으로 Ni 금속 마스크를 형성하는 단계와,

상기 감광막(8)을 제거하고 Ni금속 마스크에 의해 식각 모니터용 창(11)을 형성하며, 그 위에 다시 감광막을 입히고, 상기 비아-홀 용 별도의 마스크(10)을 사용하여 비아-홀 식각용 마스크 패턴(12)과 식각 모니터용 창(11a)를 형성 하는 단계와,

상기 비아 홀 용 감광막 마스크 패턴(12)와 Ni 금속 마스크(9)를 사용하여 식각하여 비아-홀 부분(13)과 식각된 비아-홀 창(14),(14a),(14b)을 형성하는 단계와,

비아-홀 식각용 마스크(12) 및 상기 식각 마스크인 Ni 금속 마스크(9)를 제거하고, 베이스 금속을 증착하여 전기도금법에 의해 금(16)을 도금하는 단계와,

투명 지지대(5)를 탈착하고 세척을 하여 완료하는 단계를 수행하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 직접 식각 조정 방법에 의한 뒷면 비아-홀의 제작 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.