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씨엠오에스 저전력 초고주파 증폭기

  • 기술번호 : KST2015096442
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CMOS를 이용한 초고주파 증폭기 설계에 있어 잡음특성 및 전력이득 등 회로성능을 변화시키지 않으면서 전력소모를 감소시키는 동시에 칩의 면적을 줄이는 CMOS 저전력 초고주파 증폭기에 관한 것이다. 그 목적은 RF 초크 인덕터 대신 능동소자를 사용함으로써 소비전력을 절반으로 감소시키는 동시에 칩의 면적도 크게 줄일 수 있게 하는 데에 있다. 그 특징은 자신의 소스가 제 1 용량수단를 통하여 접지되며 자신의 드레인이 제 1 유도수단를 통하여 전원과 연결되며 자신의 게이트가 제 1 저항수단을 통하여 전원과 연결되어 있는 제 1 증폭수단과, 자신의 소스가 제 2 유도수단을 통하여 접지되며 자신의 드레인이 제 2 용량수단을 통하여 그 제 1 증폭수단의 게이트에 연결되며 제 1 정합수단을 통하여 입력신호를 자신의 게이트로 입력받는 제 2 증폭수단 및 자신의 소스가 그 제 1 증폭수단의 소스에 연결되며 자신의 드레인이 그 제 2 증폭수단의 드레인에 연결되며 자신의 게이트가 제 2 저항수단을 통하여 자신의 드레인과 연결되어 있는 제 3 증폭수단으로 구성되며, 바이어스 회로가 제 3 저항수단을 통하여 그 제 2 증폭수단의 게이트에 연결되며, 출력신호가 그 제 1 증폭수단의 드레인으로부터 제 2 정합수단을 통하여 출력되는 데에 있다. 그 효과는 RF 칩 가격을 감소시킬 수 있는 데에 그 효과가 있다.
Int. CL H03F 3/20 (2006.01)
CPC H03F 3/193(2013.01) H03F 3/193(2013.01)
출원번호/일자 1019970070314 (1997.12.19)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0276085-0000 (2000.09.26)
공개번호/일자 10-1999-0051075 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20001215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.19)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유현규 대한민국 대전광역시 유성구
2 김충환 대한민국 대전광역시 유성구
3 김천수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1997-0219949-57
2 특허출원서
Patent Application		 1997.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1997-0219947-66
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1997-0219948-12
4 등록사정서
Decision to grant		 2000.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0177697-25
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

자신의 소스가 제 1 용량수단를 통하여 접지되며, 자신의 드레인이 제 1 유도수단를 통하여 전원과 연결되며, 자신의 게이트가 제 1 저항수단을 통하여 전원과 연결되어 있는 제 1 증폭수단;

자신의 소스가 제 2 유도수단을 통하여 접지되며, 자신의 드레인이 제 2 용량수단을 통하여 그 제 1 증폭수단의 게이트에 연결되며, 제 1 정합수단을 통하여 입력신호를 자신의 게이트로 입력받는 제 2 증폭수단; 및

자신의 소스가 그 제 1 증폭수단의 소스에 연결되며, 자신의 드레인이 그 제 2 증폭수단의 드레인에 연결되며, 자신의 게이트가 제 2 저항수단을 통하여 자신의 드레인과 연결되어 있는 제 3 증폭수단으로 구성되며;

바이어스 회로가 제 3 저항수단을 통하여 그 제 2 증폭수단의 게이트에 연결되며;

출력신호가 그 제 1 증폭수단의 드레인으로부터 제 2 정합수단을 통하여 출력되는 것을 특징으로 하는 CMOS 저전력 초고주파 증폭기

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제 3 증폭수단의 게이트가 제 3 저항수단을 통하여 제어전압 전원에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 CMOS 저전력 초고주파 증폭기

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.