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유기금속 화합물 전구체에 의한 구리박막의 화학증착 방법

  • 기술번호 : KST2015096476
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 종래의 알루미늄계 반도체 배선에 비해 비저항 및 전자이주(EM: electromigration) 특성면에서 우수한 구리 배선박막을 화학증착법(CVD: chemical vapor deposition)으로 형성시 발생되는 제반 문제점들을 해결하기 위한 것이다.발명은 구리전구체로서 β-diketonate계 (hfac)CuL 구리화합물에서 리간드 L로써 1-pentene(C5H10)을 사용하여 구리-리간드(Cu-L)를 약하게 결합시킴으로써 증기압을 높여 박막 증착율을 향상시킬 수 있도록 새롭게 합성한 (hfac)Cu(1-pentene) [1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato(1-pentene)copper(I): C10H11CuF6O2] 화합물을 사용하였다. 이때 (hfac)Cu(1-pentene)에 1-pentene을 첨가한 혼합용액을 구리 증착반응의 전구체로서 사용함으로써 Cu(I)계 액체 전구체의 열적 안정성 문제를 해결하였다. 이와같이 (hfac)Cu(1-pentene) 또는 (hfac)Cu(1-pentene)+(1-pentene) 혼합용액을 구리원으로써 증발시켜 일정온도, 일정압력으로 유지된 화학증착 반응로에 도입함으로써 열에너지에 의한 구리원-기판간 증착반응에 의해 전도체, 절연체, 반도체 기판상에 벌크치에 가까운 낮은 전기비저항과 ＜111＞ 결정배향성을 갖는 고순도의 구리박막을 높은 증착율로 재현성있게 형성할 수 있다. 따라서 본 발명에 의한 구리 화학증착법을 사용하여 물리, 화학적으로 우수한 특성을 가져 반도체 배선공정에 적합한 구리박막을 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC C23C 16/06(2013.01) C23C 16/06(2013.01) C23C 16/06(2013.01)
출원번호/일자 1019970069573 (1997.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0249825-0000 (1999.12.28)
공개번호/일자 10-1999-0050454 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.17)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전치훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 김윤태 대한민국 대전광역시 유성구
3 백종태 대한민국 대전광역시 유성구
4 신현국 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217788-56
2 특허출원서
Patent Application		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217786-65
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217787-11
4 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0372656-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판 장착을 위한 서셉터, 기판 가열원, 구리원과 운반기체의 공정가스 유입부, 압력 및 기판온도 측정부, 진공배기부 등으로 이루어진 반응로내로 (hfac)Cu(1-pentene) [1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato(1-pentene)copper(I): C10H11CuF6O2] 화합물을 구리 전구체로 도입하여 전도체, 반도체, 절연체 기판상에 구리박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 구리전구체에 의한 구리박막의 화학증착 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

구리박막의 형성을 위해 (hfac)Cu(1-pentene) 구리원에 더하여 1-pentene (C5H10) 화합물을 함께 사용하는 것을 특징으로 하는 구리전구체에 의한 구리박막의 화학증착 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

구리박막의 형성을 위해 (hfac)Cu(1-pentene)+운반기체를 혼합하거나 (hfac)Cu(1-pentene)+(1-pentene)+운반기체로 혼합된 공정가스를 화학증착계로 사용하는 것을 특징으로 하는 구리전구체에 의한 구리박막의 화학증착 방법

4 4

제 3 항에 있어서,

구리박막의 형성을 위한 운반기체로는 알곤(Ar), 헬륨(He), 수소(H2), 질소(N2)를 단독, 또는 상호 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 구리전구체에 의한 구리박막의 화학증착 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

구리박막의 형성을 위한 공정가스 여기원으로 열에너지를 사용하여 기판을 가열하는 것을 특징으로 하는 구리전구체에 의한 구리박막의 화학증착 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

구리박막의 형성을 위한 공정가스 여기원으로 열에너지와 플라즈마원을 이용하거나 기판상에 바이어스를 인가하는 것을 특징으로 하는 구리전구체에 의한 구리박막의 화학증착 방법

7 7

제 1 항에 있어서,

구리박막의 형성을 위해 반응로내의 기판온도를 80 ∼ 300oC 범위에서 증착온도로 사용하는 것을 특징으로 하는 구리전구체에 의한 구리박막의 화학증착 방법

8 8

제 1 항에 있어서,

구리박막의 형성을 위해 반응로내의 압력을 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.