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자외선 감지기와 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015096504
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 넓은 에너지 밴드갭(wide energy band gap)을 갖는 신소재 합금을 이용하여 광전도성(photoconducting) 및 광전지성(photovoltaic)을 갖는 자외선 감지기와 그 제조방법에 관한 것이다. 종래의 자외선 감지기는 저전력 소형으로는 사용할 수 없으며 주변 자계(磁界, magnetic field)의 영향을 쉽게 받고, 광변환 효율이 낮고 외부 필터를 사용하여 가시광 및 적외선을 차단해야 하며, 양자효율이 낮으며, 가격이 비싸다는 문제점이 있었다. 그러나, 본 발명의 목적은 자외선 감지능력율 높이고, 근자외선에서 원자외선에 이르는 넓은 파장대에서 차단 주파수를 정밀하게 조절할 수 있으며, 간접에서 직접 에너지 밴드갭 변환에 따라 양자효율을 높이는 데에 있다. 그 특징은 사파이어 기판 위에 성장된 질화 알루미늄 층과, 상기 질화 알루미늄 층 위에 소정의 조성비로 성장된 N형(SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층과, 상기 N형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시층 위에 소정의 조성비로 성장된 P형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층과, 상기 P형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층 위에 소정의 조성비로 성장된 P+형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층과, 상기 N형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층 위에 형성된 N형 전극 및 상기 P+형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층 위에 형성된 P형 전극으로 구성되는 데에 있다. 그 효과는 Si이나 SiC를 사용한 소자보다 자외선 감지능력과 양자효율을 크게 향상시킬 수 있다는 데에 그 효과가 있다.
Int. CL G01J 1/02 (2006.01)
CPC G01J 1/429(2013.01) G01J 1/429(2013.01) G01J 1/429(2013.01)
출원번호/일자 1019970018815 (1997.05.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0211966-0000 (1999.05.06)
공개번호/일자 10-1998-0083499 (1998.12.05) 문서열기
공고번호/일자 (19990802) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.05.15)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성우 대한민국 대전광역시 유성구
2 남기수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.05.15 수리 (Accepted) 1-1-1997-0060751-30
2 특허출원서
Patent Application		 1997.05.15 수리 (Accepted) 1-1-1997-0060749-48
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.05.15 수리 (Accepted) 1-1-1997-0060750-95
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.28 수리 (Accepted) 1-1-1997-0060752-86
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0064892-78
6 FD제출서
FD Submission		 1999.05.07 수리 (Accepted) 2-1-1999-5080252-14
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

사파이어 기판 위에 성장된 질화 알루미늄 층;

상기 질화 알루미늄 층위에 소정의 조성비로 성장된 N형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층;

상기 N형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층위에 소정의 조성비로 성장된 P형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층;

상기 P형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층위에 소정의 조성비로 성장된 P+형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층;

상기 N형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층위에 형성된 N형 전극; 및

상기 P+형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층위에 형성된 P형 전극으로 구성되며;

상기 X가 0보다 크고 1보다 작으며;

상기 (SiC)1-X(AlN)X의 밴드갭의 크기에 따라 자외선 감응도가 조절되는 것을 특징으로 하는 자외선 감지기

2 2

사파이어 기판 위에 성장된 질화 알루미늄 층;

상기 질화 알루미늄 층위에 소정의 조성비로 성장된 P형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층;

상기 P형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층위에 소정의 조성비로 성장된 N형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층;

상기 N형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층위에 소정의 조성비로 성장된 N+형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층;

상기 P형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층위에 형성된 P형 전극; 및

상기 N+형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층위에 형성된 N형 전극으로 구성되며;

상기 X가 0보다 크고 1보다 작으며;

상기 (SiC)1-X(AlN)X의 밴드갭의 크기에 따라 자외선 감응도가 조절되는 것을 특징으로 하는 자외선 감지기

3 3

사파이어 기판위에 유기금속 화학증착법으로 질화 알루미늄 층을 성장시키고 충분한 빛을 통과시키는 단계;

상기 질화 알루미늄 층 위에 N형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층과 P형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층과 P+형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층을 소정의 조성비로 차례로 성장시키는 단계; 및

상기 N형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층과 상기 P+형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층위에 각각 N형 전극과 P형 전극을 형성시키는 단계로 이루어지며;

상기 X가 0보다 크고 1보다 작으며;

상기 (SiC)1-X(AlN)X의 밴드갭의 크기에 따라 자외선 감응도가 조절되는 것을 특징으로 하는 자외선 감지기의 제조방법

4 4

사파이어 기판위에 유기금속 화학증착법으로 질화 알루미늄 층을 성장시키고 충분한 빛을 통과시키는 단계;

상기 질화 알루미늄 층 위에 P형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층과 N형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층과 N+형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층을 소정의 조성비로 차례로 성장시키는 단계; 및

상기 P형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층과 상기 N+형 (SiC)1-X(AlN)X 에피택시 층위에 각각 P형 전극과 N형 전극을 형성시키는 단계로 이루어지며;

상기 X가 0보다 크고 1보다 작으며;

상기 (SiC)1-X(AlN)X의 밴드갭의 크기에 따라 자외선 감응도가 조절되는 것을 특징으로 하는 자외선 감지기의 제조방법

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