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확산방지막 형성방법

  • 기술번호 : KST2015096506
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 내화금속을 원재료로 하는 확산방지막의 형성방법에 관한 것으로서, 매우 얇은 두께의 내화 금속의 열변환에 의해 표면에서의 내화 금속 산화물의 형성을 최소화하면서, 표면의 이원계 질화물과 하부의 삼원계로 구성되는 확산방지특성이 우수한 2층 구조의 얇은 확산방지막을 형성하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 하며, 고순도의 내화금속을 스퍼터 또는 열화학 증착 방법으로 얇게 형성하여 확산방지막의 원재료로 사용하고, 열화학 또는 이온주입 방법으로 내화금속 내부에 이온화된 질소 원자를 주입하고, 연속적인 열변환 공정에 의해 기판으로 사용하는 실리콘을 외향확산시켜 표면에 내화금속 질화물의 원계 확산방지막을 형성하고, 하부에 삼원계 확산방지막을 동시에 형성하여 얇은 두께를 유지하면서 효율적인 확산방지 특성을 갖는 확산방지막을 형성함으로써, 이온화된 질소 원자의 주입과 후속열처리에 의해 간편하게 이원계/삼원계의 2중의 확산방지막을 형성할 수 있어 공정의 단순화를 이룰 수 있으며, 얇은 두께의 내화금속 내부로 질소원자를 포화상태로 유지시켜 확산방지 특성이 우수한 얇은 두께의 삼원계의 확산방지막을 형성할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL C23C 28/00 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019970047574 (1997.09.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0249828-0000 (1999.12.28)
공개번호/일자 10-1999-0025792 (1999.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20000401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.18)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤태 대한민국 대전광역시 유성구
2 전치훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 백종태 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.09.18 수리 (Accepted) 1-1-1997-0150907-00
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.18 수리 (Accepted) 1-1-1997-0150908-45
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.18 수리 (Accepted) 1-1-1997-0150909-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0284475-46
5 의견서
Written Opinion		 1999.11.16 수리 (Accepted) 1-1-1999-5391133-16
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.11.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5391134-62
7 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0370749-02
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

내화금속의 열변환에 의한 이원계/삼원계 구조의 얇은 확산방지막 형성에 있어서, 실리콘 기판 위에 스퍼터 또는 열화학 증착 방법으로 내화금속을 형성하는 제1단계와; 열확산이나 이온주입 방법으로 내화금속 내부에 이온화된 질소 원자를 주입하는 제2단계와; 연속적인 열변환 공정으로 표면에 내화금속 질화물의 이원계 확산방지막을 형성하는 제3단계와; 기판으로 사용하는 실리콘을 외향확산시켜 이원계 확산방지막 하부에 삼원계 확산방지막을 형성하는 제4단계로 이루어지되, 상기 제3 단계와 제4 단계는 열처리 공정에 의해 동시에 일어나는 것을 특징으로 하는 확산방지막 형성방법

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1 US6069073 US 미국 DOCDBFAMILY
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