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입방정 구조의 와이비에이투씨유쓰리오엑스 박막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015096507
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 입방정 구조의 YBa2Cu3Ox 박막 제조 방법에 관한 것으로, 특히 펄스레이저 증착법을 이용하여 고증착 속도로 입방정 구조의 YBa2Cu3Ox 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.YBa2Cu3Ox 박막은 산화물 기판 상에 스퍼터링법, 펄스레이저 증착법, 진공 증발 증착법 등을 이용하여 저증착 속도로 제조된다. 이 때 기판의 온도 및 유입되는 산소의 압력에 따라 YBa2Cu3Ox 박막의 결정 구조 및 배향성이 결정된다.본 발명에서는 펄스레이저 증착법을 이용하여 초전도 물질의 박막 성장에 씨앗층과 조셉슨 접합소자의 장벽층 역할을 할 수 있는 입방정 구조의 YBa2Cu3Ox 박막을 고증착속도로 제조하는 방법을 제시한다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01)
CPC C23C 14/28(2013.01) C23C 14/28(2013.01) C23C 14/28(2013.01)
출원번호/일자 1019970045654 (1997.09.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0248081-0000 (1999.12.15)
공개번호/일자 10-1999-0024514 (1999.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20000401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.03)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성건용 대한민국 대전광역시 유성구
2 서정대 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.03 수리 (Accepted) 1-1-1997-0144804-10
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.03 수리 (Accepted) 1-1-1997-0144803-64
3 특허출원서
Patent Application		 1997.09.03 수리 (Accepted) 1-1-1997-0144802-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0284466-35
5 의견서
Written Opinion		 1999.10.25 수리 (Accepted) 1-1-1999-5369701-89
6 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0370745-19
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

펄스레이저 증착법을 이용하여 회전하는 소결체 타겟 표면에 고속 반복율의 펄스레이저를 조사하는 단계와,

펄스레이저의 고속 반복율로 단위시간당 플라즈마의 발생횟수를 조절함으로써 증착속도를 제어하여 기판 상에 입방정 구조의 박막이 증착되도록 하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 입방정 구조의 와이비에이투씨유쓰리오엑스 박막 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 소결체 타겟은 YBa2Cu3Ox로 구성된 산화물 고온 초전도체인 것을 특징으로 하는 입방정 구조의 와이비에이투씨유쓰리오엑스 박막 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 펄스레이저는 반복율이 10 ㎐ 내지 100 ㎐, 에너지 밀도가 1 J/㎠ 이상인 자외선 XeCl 엑시머 레이저인 것을 특징으로하는 입방정 구조의 와이비에이투씨유쓰리오엑스 박막 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 타겟과 기판 사이의 거리는 4 ㎝ 내지 10 ㎝로 제어하고, 증착속도는 0

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 기판은 SrTiO3, MgO, LaAlO3 및 LaSrGaO4 등의 산화물 단결정중 어느 하나를 사용하고, 600 ℃ 내지 750 ℃의 온도로 제어하는 것을 특징으로 하는 입방정 구조의 와이비에이투씨유쓰리오엑스 박막 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.