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고전자 이동도 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015096540
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야고전자 이동도 트랜지스터2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 전자들이 경계면으로부터 멀리떨어지도록하여 에너지대 구조가 역삼각형을 이루어, 보다 이동도가 증대된 고전자 이동도 트랜지스터를 제공한다.3. 발명의 해결 방법의 요지기판 상부에 애피택셜 성장되며 Al의 조성이 점차떨어지고 대신 Ga이 점차적으로 증대되는 선형적인 조성 변화를 갖는 InGaAlAs 완충층을 형성하고, 전도층은 InGaAs층이 되도록 애피택셜 성장시킨다.4. 발명의 중요한 용도고전자 이동도 트랜지스터
Int. CL H01L 27/148 (2006.01)
CPC H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자 1019960062614 (1996.12.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0044521 (1998.09.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.06)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이해권 대한민국 충청남도 부여군
2 이재진 대한민국 대전광역시 유성구
3 편광의 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.12.06 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209214-05
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.06 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209216-96
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.06 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209215-40
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209217-31
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0105123-93
6 출원포기서
Abandonment of Application		 1999.05.31 수리 (Accepted) 1-1-1999-5204200-47
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판상에 에피택셜 성장에 의해 완충층과 전도층이 차례로 적층된 구조를 갖는 고전자 이동도 트랜지스터에 있어서,

기판 상부에 애피택셜 성장되며 Al의 조성이 점차떨어지고 대신 Ga이 점차적으로 증대되는 선형적인 조성 변화를 갖는 InGaAlAs 완충층; 및

상기 InGaAlAs 완충층상에 형성되는 InGaAs 전도층을 구비하는 고전자 이동도 트랜지스터

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 기판과 상기 InGaAlAs 완충층의 사이에 InAlAs층, InGaAs/InAlAs의 초격자완충층, 및 InAlAs 완충층이 차례로 적층된 것을 특징으로 하는 고전자 이동도 트랜지스터

3 3

제 2 항에 있어서,

상기 기판은 InP 기판임을 특징으로 하는 고전자 이동도 트랜지스터

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.