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이종접합 바이폴라 트랜지스터의 오믹전극 제작방법

  • 기술번호 : KST2015096546
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초고주파 및 초고속화 전자소자에서 사용되는 화합물 반도체로 구성되는 이종접합(heterojunction) 바이폴라 트랜지스터(HBT)의 오믹전극 제작방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 메사 식각에 의해 에미터, 베이스, 컬렉터 영역을 먼저 형성한 후에 식각 속도가 상이하도록 서로 다른 온도에서 증착시킨 2중의 절연막(8, 9)을 윗부분이 돌출되도록 식각하고, 그 위에 에피 기판에 대한 낮은 접촉저항 특성뿐만 아니라 고온 안정이 뛰어난 텅스텐 계열의 복합 재료로 구성된 동일 재질의 금속층(WNx/WNx→0/W)(16, 17, 18)을 스퍼터링에 의해 동시에 증착하고 리프트오프 함으로써 오믹 접촉특성이 우수한 에미터, 베이스 및 컬렉터의 전극을 동시에 형성할 수 있어, 기존의 제작공정보다 공정 단계를 단축하는데 따른 공정비용 절감과 성능개선이 동시에 이루어지는 이종접합 바이폴라 트랜지스터에서의 오믹 전극 제작이 가능하다.
Int. CL H01L 21/328 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1019980016487 (1998.05.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0261279-0000 (2000.04.17)
공개번호/일자 10-1999-0084595 (1999.12.06) 문서열기
공고번호/일자 (20000701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.05.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성호 대한민국 대전광역시 유성구
2 이태우 대한민국 대전광역시 중구
3 박문평 대한민국 대전광역시 유성구
4 박철순 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.05.08 수리 (Accepted) 1-1-1998-0052299-06
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.05.08 수리 (Accepted) 1-1-1998-0052300-65
3 특허출원서
Patent Application		 1998.05.08 수리 (Accepted) 1-1-1998-0052298-50
4 등록사정서
Decision to grant		 2000.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0059677-88
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

화합물 반도체이종접합 바이폴라트랜지스터(HBT)를 제작하는 방법에 있어서,

HBT 에피기판을 제작하는 제 1 과정과;

상기 에피기판에 오믹 접촉 형성을 위한 에미터, 베이스 및 컬렉터 영역을 메사 식각에 의해 정의하는 제 2 과정과;

상기 기판 전면에 서로 다른 성장 온도에서 2중의 절연막을 순차로 형성하고 연이어 건식 식각과 습식 식각을 함께 사용하여 오믹 전극 형성시의 리프트오프를 위한 표면돌출부를 형성하는 제 3 과정과; 및

에미터, 베이스, 컬렉터 표면상에 3층의 텅스텐계 금속층을 갖는 오믹전극을 동시에 형성하는 제 4과정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 오믹전극의 제작방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제 3 과정은, 100oC 정도의 저온에서 성장시킨 제 1의 절연막과 그 위에 300oC 정도의 고온에서 성장시킨 제 2 절연막을 플라즈마 화학증착법(PECVD)으로 도포한 후, 비등방성 플라즈마 식각에 의해 오믹전극이 형성될 영역을 상기 제 1의 절연막이 500∼1000Å 정도가 잔류할 때까지 제거하고, 잔류 절연막을 등방성 식각 특성을 가지고 또한 식각손상이 적은 습식 식각방법에 의해 제거하여 2중으로 구성된 절연막에서 오믹전극이 형성될 영역의 표면입구가 돌출된 표면돌출부를 형성하는 것을 특징으로 하는 오믹 전극의 제작방법

3 3

제 2 항에 있어서,

상기 제 1 및 제 2의 절연막은 실리콘 질화막(SiN)을 각각 사용하는 것을 특징으로 하는 오믹 전극의 제작방법

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 제 1의 실리콘 질화막은 상기 제 2의 실리콘 질화막에 비해 상대적으로 4∼5배 정도 두껍게 증착하는 것을 특징으로 하는 오믹 전극의 제작방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 제 4 과정은, 기판으로부터 제1층에 질화텅스텐 금속(WNx)을, 제2층에 질소의 조성경사를 갖는 질화텅스텐 금속(WNx→0)을, 제3층에 순수 텅스텐 금속(W)을 스퍼터링 방식으로 웨이퍼 전면에 증착하고 상기 SiN층 상에 형성된 표면돌출부에 의해 금속배선의 단락을 유도한 뒤 리프트 오프함으로써 낮은 오믹 접촉저항과 고온 안정성을 갖는 오믹전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 오믹 전극의 제작방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.