맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

T형게이트전극의형성방법

  • 기술번호 : KST2015096549
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 T형 게이트 전극의 형성방법에 관한 것으로, 화합물 반도체 기판의 상부에 결정 성장된 채널영역 상부의 소정 부분에 형성반전감광막으로 이루어진 더미 게이트를 형성하고 채널영역의 나머지 부분에 게이트 마스크층을 증착하고 채널영역이 노출되도록 더미 게이트를 제거하므로써 게이트 길이를 패턴의 폭 보다 좁게 한정하고, 채널영역의 노출된 부분을 리세스 식각한 후 T형 게이트전극을 형성한다.따라서, 게이트 길이를 마스크의 미세 패턴 보다 적게 할 수 있다.
Int. CL H01L 29/739 (2006.01)
CPC H01L 29/66545(2013.01) H01L 29/66545(2013.01) H01L 29/66545(2013.01)
출원번호/일자 1019950040550 (1995.11.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0030886 (1997.06.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.11.09)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김해천 대한민국 대전광역시유성구
2 이종람 대한민국 대전광역시유성구
3 문재경 대한민국 대전광역시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.11.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0161089-34
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.11.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0161088-99
3 특허출원서
Patent Application		 1995.11.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0161087-43
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0161090-81
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0161091-26
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.05.01 수리 (Accepted) 1-1-1995-0161092-72
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0085242-56
8 의견서
Written Opinion		 1998.10.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0750348-14
9 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0476470-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반절성의 화합물 반도체 기판의 표면에 결정 성장된 채널영역 소정 부분의 상부에 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 공정과, 상기 채널영역의 소정 부분과 상기 소오스 및 드레인전극의 상부에 상부 보다 하부의 간격이 더 커역경사진 측면을 갖는 제1형상반전감광막을 제거하는 공정과, 상기 채널영역의 노출된 부분과 제1형상반전감광막의 상부에 게이트 마스크층을 형성하고 상기 제2형상반전감광막을 제거하는 공정과, 상기 소오스 및 드레인전극과 게이트 마스크층의 상부에 상기 노출된 채널영역이 노출되도록 측면이 역경사를 이루는 제2형상반전감광막을 형성하는 공정과, 상기 채널영역의 노출된 부분을 리세스 식각하고 하부가 상기 채널영역의 식각된 부분과 접촉되게 T형의 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 제2형상반전감광막과 게이트 마스크층을 제거하는 공정을 구비하는 T형 게이트 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 GaAs, InP, InGaAs, InGaP, InAlAs는 AlGaAs의 2성분계 또는 3성분계 화합물 반도체가 사용되는 T형 게이트의 전극형성방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 게이트 마스크층을 산화실리콘, 질화실리콘 또는 알루미늄을 2000∼3000Å의 두께로 증착하여 형성하는 T형의 게이트 전극의 형성방법

4
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.