맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

반도체 박막 선택 성장방법

  • 기술번호 : KST2015096554
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 불활성기체의 저에너지 이온 빔을 이용하여 GaAs등의 화합물 반도체 및 Si 등의 반도체 박막을 낮은 성장온도에서 기판의 국부적인 영역에만 선택적으로 성장하는 방법에 관한 것으로서, 종래기술에서 고온 공정이 수반되는 불순물의 확산, 계면에서의 물질확산, 비균형 열 팽창에 따르는 결함이 발생했던 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 기판 위에 소정 패턴의 유전체 마스크를 형성한 후, 그 결과물 전면에 불활성 기체의 저에너지 이온을 원료물질과 동시에 공급하여 상기 유전체 마스크가 형성되지 않은 부분에 반도체 박막을 형성하는 공정을 수행함으로써, 공정을 단순화할 수 있고, 공정을 일괄적으로 수행함으로써 특성이 우수한 소자를 제작할 수 있는 것이다.
Int. CL H01L 29/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02634(2013.01) H01L 21/02634(2013.01) H01L 21/02634(2013.01)
출원번호/일자 1019960061305 (1996.12.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0243383-0000 (1999.11.16)
공개번호/일자 10-1998-0043447 (1998.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.03)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 노정래 대한민국 대전광역시 유성구
2 김성복 대한민국 대전광역시 서구
3 이일항 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1996-0205033-44
2 특허출원서
Patent Application		 1996.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1996-0205032-09
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1996-0205034-90
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0205035-35
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0205036-81
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1999.03.11 수리 (Accepted) 1-1-1999-5108189-02
7 등록사정서
Decision to grant		 1999.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0327669-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판위에 유전체 마스크를 형성한 후 그 기판에 반도체 박막을 성장하는 반도체 박막 성장 방법에 있어서, 낮은 기판온도에서 기판의 국부적인 영역에만 에피택시 박막을 성장하기 위해, 불활성 기체의 저에너지 이온 빔을 원료물질과 동시에 기판 및 유전체 마스크 상에 주입하여 상기 유전체 마스크로 패턴되지 않은 기판의 국부적인 영역에만 반도체 박막을 선택적으로 성장하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 선택 성장 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 저에너지 이온은 10∼99Kev의 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 선택 성장 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.