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혼성 베이스 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 구조 및그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015096560
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 혼성 베이스 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 발명은 종래의 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 동작 속도를 제한하는 베이스층 박막의 기생 저항 성분과 베이스-콜렉터 접합 기생 캐패시턴스 성분을 획기적으로 감소시키기 위하여 에미터-베이스 또는 베이스-콜렉터 p-n 접합 다이오드 구조의 간단한 에피층을 사용하여 동일한 면적을 갖는 2개의 접합 다이오드를 형성하고, 2개의 접합 다이오드를 플립 칩 본딩에 의해 접합한다.
Int. CL H01L 29/70 (2006.01)
CPC H01L 29/7371(2013.01) H01L 29/7371(2013.01)
출원번호/일자 1019980029097 (1998.07.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0276685-0000 (2000.10.02)
공개번호/일자 10-2000-0008969 (2000.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.07.20)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 대전광역시 중구
2 박성호 대한민국 대전광역시 유성구
3 박문평 대한민국 대전광역시 유성구
4 박철순 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.07.20 수리 (Accepted) 1-1-1998-0089555-45
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.07.20 수리 (Accepted) 1-1-1998-0089556-91
3 특허출원서
Patent Application		 1998.07.20 수리 (Accepted) 1-1-1998-0089554-00
4 등록사정서
Decision to grant		 2000.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0223041-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055004-78
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

제 1 반도체 기판, 제 1 버퍼층 박막, 부콜렉터층 박막, 콜렉터층 박막 및 제 1 베이스층 박막으로 이루어지며, 상기 부콜렉터층 박막 및 제 1 베이스층 박막 상에 콜렉터 전극 및 제 1 베이스 전극이 각각 형성된 제 1 접합 다이오드와,

제 2 반도체 기판, 제 2 버퍼층 박막, 부에미터층 박막, 에미터층 박막 및 제 2 베이스층 박막으로 이루어지며, 상기 부에미터층 박막 및 제 2 베이스층 박막 상에 에미터 전극 및 제 2 베이스 전극이 각각 형성된 제 2 접합 다이오드로 이루어지되, 상기 제 1 접합 다이오드의 제 1 베이스 전극과 상기 제 2 접합 다이오드의 제 2 베이스 전극이 서로 접촉되어 형성된 것을 특징으로 하는 혼성 베이스 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 구조

2 2

제 1 반도체 기판 상부에 제 1 버퍼층 박막, 부콜렉터층 박막, 콜렉터층 박막 및 제 1 베이스층 박막을 순차적으로 성장시켜 제 1 에피층 구조를 형성하는 단계와,

상기 제 1 베이스층 박막 상부의 선택된 영역에 제 1 베이스 전극을 형성하는 단계와,

상기 제 1 베이스층 박막 및 상기 콜렉터층 박막의 선택된 영역을 식각하여 상기 부콜렉터층 박막을 노출시킨 후 상기 노출된 부콜렉터층 박막 상부의 선택된 영역에 콜렉터 전극을 형성하는 단계와,

상기 제 1 반도체 기판의 선택된 영역이 노출되도록 상기 제 1 에피층을 식각하여 제 1 접합 다이오드를 확정하는 단계와,

제 2 반도체 기판 상부에 제 2 버퍼층 박막, 부에미터층 박막, 에미터층 박막 및 제 2 베이스층 박막을 순차적으로 성장시켜 제 2 에피층 구조를 형성하는 단계와,

상기 제 2 베이스층 박막 상부의 선택된 영역에 제 2 베이스 전극을 형성하는 단계와,

상기 제 2 베이스층 박막 및 상기 에미터 박막의 선택된 영역을 식각하여 상기 부에미터층 박막을 노출시킨 후 상기 노출된 부에미터층 박막 상부의 선택된 영역에 에미터 전극을 형성하는 단계와,

상기 제 2 반도체 기판의 선택된 영역이 노출되도록 제 2 에피층을 식각하여 제 2 접합 다이오드를 확정하는 단계와,

상기 제 1 접합 다이오드의 제 1 베이스 전극과 상기 제 2 접합 다이오드의 제 1 베이스 전극을 서로 접촉시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 혼성 베이스 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조 방법

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 제 1 접합 다이오드의 제 1 베이스 전극과 상기 제 2 접합 다이오드의 제 2 베이스 전극은 플립 칩 본딩에 의해 접촉되는 것을 특징으로 하는 혼성 베이스 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.