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이온 교환법을 이용한 평면형 광도파로 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015096569
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이온 교환법을 이용한 평면형 광도파로 제조 방법에 관한 것으로, 이온 교환법으로 유리 기판 표층부의 굴절률을 조절한 후, 사진(photolithography) 및 식각(etch) 공정으로 표층부를 패터닝하여 광도파로를 형성하고 유리 기판과 동일하거나 낮은 굴절률을 갖는 물질을 코팅하여 클래딩층을 형성하므로써 치수 제어 및 재현성이 뛰어나고 일정한 깊이와 계단형의 벽면을 갖는 평면형 광도파로가 제조된다.광 도파로, 이온 교환법, 유리, 굴절률, 활성 이온 식각법
Int. CL G02B 6/13 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010047186 (2001.08.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0415625-0000 (2004.01.06)
공개번호/일자 10-2003-0012940 (2003.02.14) 문서열기
공고번호/일자 (20040124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.08.06)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조두희 대한민국 대전광역시유성구
2 안준태 대한민국 대전광역시중구
3 전민용 대한민국 대전광역시대덕구
4 김경헌 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2001-0195860-82
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.04.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2003-0019892-82
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0208570-67
6 의견서
Written Opinion		 2003.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2003-0284390-69
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0284389-12
8 등록결정서
Decision to grant		 2003.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0513411-93
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

(a) 유리 기판 표층부의 굴절율을 이온교환 방법으로 상기 유리 기판의 굴절율 보다 높게 만드는 단계;

(b) 상기 유리 기판 상에 포토레지스트를 증착하고 소정 영역 패터닝하여 마스크를 형성하는 단계;

(c) 상기 마스크를 이용하여 굴절율이 높아진 상기 표층부를 식각하는 단계;

(d) 잔류한 상기 마스크를 제거하여 광도파로 패턴을 상기 유리 표층부에 형성하는 단계; 및

(e) 상기 전체 구조 상부에 상기 유리 기판과 동일하거나 낮은 굴절율을 갖는 폴리머 물질의 클래딩층을 형성하는 단계를 포함하는 평면형 광도파로 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 유리 기판의 굴절률은 1

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 유리 기판은 규산염 유리, 알루미노 규산염 유리 및 붕 규산염 유리 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 이온 교환 공정은 상기 유리 기판을 일정 시간동안 용융염 혼합 융액에 담가 이온 교환하는 열적 이온 교환법 및 상기 유리 기판을 용융염 혼합 융액에 담그고 전기장을 인가하여 이온 교환하는 전기장 인가 이온 교환법 중 어느 하나의 방법으로 진행되는 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로 제조 방법

5 5

제 4 항에 있어서,

상기 혼합 융액은 K+, Ag+, Cs+, Li+, Rb+ 및 Tl+이온이 함유된 질산염, 황산염 및 염소산염 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로 제조 방법

6 6

제 4 항에 있어서,

상기 혼합 융액은 K+, Ag+, Cs+, Li+, Rb+ 및 Tl+이온이 함유된 질산염, 황산염 및 염소산염이 소정 비율로 혼합된 혼합물인 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로 제조 방법

7 7

제 4 항에 있어서,

상기 혼합 융액은 Na+ 이온이 함유된 질산염, 황산염 및 염소산염과 K+, Ag+, Cs+, Li+, Rb+ 및 Tl+이온이 함유된 질산염, 황산염 및 염소산염이 소정 비율로 혼합된 혼합물인 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로 제조 방법

8 8

제 4 항에 있어서,

상기 전기장 인가 이온 교환법은 상기 유리 기판의 배면에 전극을 증착하여 음극으로 하고, 상기 유리 기판의 전면에 용융염을 접촉한 상태에서 상기 용융염 내에 양전극을 삽입하고 10 내지 200V/mm의 전기장을 인가하여 이온 교환이 일어나도록 하는 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로 제조 방법

9 9

제 1 항에 있어서,

상기 이온 교환 공정은 200 내지 500℃의 온도에서 10 내지 120분동안 실시되는 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로 제조 방법

10 10

제 1 항에 있어서,

상기 패터닝을 위한 식각공정은 활성 이온 식각법을 이용한 건식식각 및 희석된 불산을 이용한 습식식각 중 어느 하나의 방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로 제조 방법

11 11

삭제
12 12

제 1 항에 있어서,

상기 폴리머는 폴리 실록산계, 폴리 아크릴레이트계, 폴리 에테르계, 폴리 에스터계, 폴리 이미드계의 수지 및 이들의 복합체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로 제조 방법

13 13

제 1 항에 있어서,

상기 폴리머는 열경화성 수지 및 자외선 경화성 수지 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로 제조 방법

14 14

제 1 항에 있어서,

상기 클래딩층은 스핀 코팅 방법으로 코팅된 후 경화공정을 거쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
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2 US20030024274 US 미국 FAMILY

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1 US2003024274 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6769274 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.