실리콘 나노 선과 나노 점 구조로 이루어진 양자 구속 효과의 가시광선 발광다이오드의 제조방법에 있어서,

그 표면이 불활성화(passivation) 처리된 반도체 기판 상에 패턴화된 금속 나노 클러스터를 형성하는 단계;

상기 패턴화된 금속 나노 클러스터를 마스크로 이용한 건식식각 공정을 통하여 반도체 기판 표면에 일정 길이를 갖는 수직한 기둥(column) 형상의 실리콘 나노 선(wires) 구조를 형성하는 단계;

상기 실리콘 나노 선들과의 사이에 실리콘 나노 클러스터(cluster)를 단층(single layer)으로 형성시키는 단계;

상기 결과물의 표면을 산화 처리하여 상기 흡착된 단층의 실리콘 나노 클러스터의 지름을 감소시킴과 아울러 그 표면의 불활성화로 인한 양자 구속 효과의 가시광선 발광이 가능하도록 산화막을 형성하는 단계;

상기 실리콘 나노 클러스터의 흡착 및 산화 과정을 반복하여 상기 실리콘 나노 선 구조간의 사이에 표면이 불활성화 처리된 실리콘 나노 점(dots)들을 밀집 형성시키는 단계; 및

상기 결과물의 전면과 후면에 각각 전면전극 및 후면전극을 형성시키는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 실리콘 나노 선과 나노 점을 이용한 발광다이오드의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 금속 나노 클러스터는,

금, 은과 같은 귀금속이나 전이 금속(transition metal)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법

제1항에 있어서,

상기 금속 나노 클러스터의 크기는 수∼수십 ㎚ 정도이며, 그 표면 밀도는 대략 1010∼1012 개/㎠ 정도인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 수직한 기둥형상의 실리콘 나노 선은,

상기 금속 나노 클러스터를 마스크로 이용한 반응성 이온식각(RIE) 공정을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 수직한 기둥형상의 실리콘 나노 선은,

VLS(Vapor Liquid Solid) 성장 방식을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 실리콘 나노 점들의 형성 단계 후,

이들의 결정성을 향상시킬 수 있도록, 열처리 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 반도체 기판으로 p-형 기판을 사용하여 쇼트키(Schottky)형으로 제작하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 p-형 기판이고, 상기 전면전극과 실리콘 나노 선/점들과의 사이에 n-형 반도체 박막을 더 형성하여 p-n 접합 구조의 다이오드를 제작하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법