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기판 및 상기 기판 상에 적층된 유기물층, 전극층들, 및 보호층을 포함하는 유기전자소자를 제공하는 것;상기 보호층에 상기 보호층 보다 유전상수가 높은 유체 화합물을 제공하는 것; 및상기 유체 화합물이 제공된 상기 보호층 상에 수은 탐침을 제공하여, 상기 보호층의 전기용량(capacitance)의 변화량을 측정하는 것을 포함하되,상기 수은 탐침은 제1 전극 및 상기 제1 전극을 둘러싸는 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극의 동심원 형태를 가지며,상기 보호층의 전기용량의 변화량을 측정하는 것은:상기 유체 화합물이 제공된 상기 보호층 상에, 상기 제1 및 제2 전극들과 상기 보호층간의 컨택 영역을 형성하는 것;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전위차가 발생하도록 전압을 인가하는 것; 및상기 컨택 영역의 전기용량의 변화량을 측정하는 것을 포함하는 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법
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제1항에 있어서,상기 보호층은 이물질, 핀홀 또는 이들의 조합을 포함하는 결함영역을 포함하고,상기 유체 화합물은 상기 보호층의 결함영역에 침투되어 상기 결함영역의 전기용량을 변화시키는 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법
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제2항에 있어서,상기 보호층은 상기 결함영역을 제외한 다른 영역인 미결함영역을 포함하고,상기 보호층의 전기용량의 변화량을 측정하는 것은:상기 미결함영역의 전기용량을 측정하여 정상 범위의 값으로 설정하는 것;상기 보호층 상의 일 영역의 전기용량을 측정하여, 상기 정상 범위 값과 비교하는 것; 및전기용량의 변화가 발생한 상기 일 영역이 상기 결함영역인 것으로 검출하는 것을 포함하는 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법
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제1항에 있어서,상기 유체 화합물은 유전상수가 15 이상인 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법
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제1항에 있어서, 상기 유체 화합물은 물(H2O), 아세톤(Acetone), 아세토니트릴(Acetonitrile), N,N-디메틸아세트아미드(N,N-Dimethylacetamide),N,N-디메틸포름아미드(N,N-Dimethylformamide), 디메틸 술폭시드(Dimethyl sulfoxide), 에탄올(Ethanol), 포름아미드(Formamide), 헥사메틸포스포아미드(Hexamethylphosphoramide), 이소프로필 알콜(Isopropyl alcohol), 메탄올(Methanol), 니트로벤젠(Nitrobenzene) 및 니트로메탄(Nitromethane) 중 적어도 하나를 포함하는 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법
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제1항에 있어서, 상기 보호층은 무기 절연체, 유기 절연체 또는 이들의 조합인 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법
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기판 상에 유기물층, 전극층들 및 보호층을 형성하는 것;상기 보호층에 상기 보호층 보다 유전상수가 높은 유체 화합물을 제공하는 것;상기 유체 화합물이 제공된 상기 보호층 상에 수은 탐침을 제공하여, 상기 보호층의 전기용량의 변화량을 측정하는 것; 및상기 보호층 상에 봉지층을 형성하는 것을 포함하되,상기 수은 탐침은 제1 전극 및 상기 제1 전극을 둘러싸는 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극의 동심원 형태를 가지며,상기 보호층의 전기용량의 변화량을 측정하는 것은:상기 유체 화합물이 제공된 상기 보호층 상에, 상기 제1 및 제2 전극들과 상기 보호층간의 컨택 영역을 형성하는 것;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전위차가 발생하도록 전압을 인가하는 것; 및상기 컨택 영역의 전기용량의 변화량을 측정하는 것을 포함하는 유기전자소자의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 보호층은 이물질, 핀홀 또는 이들의 조합을 포함하는 결함영역을 포함하고,상기 유체 화합물은 상기 보호층의 결함영역에 침투되어 상기 결함영역의 전기용량을 변화시키는 유기전자소자의 제조 방법
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제12항에 있어서,전기용량의 변화가 발생한 상기 결함영역을 검출하는 것; 및상기 결함영역 상에 보호층을 추가로 형성하는 것을 더 포함하는 유기전자소자의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 유기물층의 형성은,정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 적층하여 형성하는 것을 포함하는 유기전자소자의 제조 방법
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