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정전 용량 방식의 윈도우 일체형 터치 스크린 패널 제작 방법에 있어서, 강화 처리된 기판 위에 OMO(oxide metal oxide) 하이브리드 전극을 형성하는 단계;상기 OMO 하이브리드 전극의 일부를 식각하는 단계; 및상기 OMO 하이브리드 전극이 식각된 부분에 패턴 삽입 계층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 패턴 삽입 계층은 산화물을 기반으로 형성되고,상기 OMO 하이브리드 전극은 상기 강화 처리된 기판 위에 하위 계층, 금속 계층 및 상위 계층을 적층하여 형성되는 터치 스크린 패널 제작 방법
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제1항에 있어서, 상기 상위 계층 및 상기 패턴 삽입 계층의 상단에 전극 간 절연층을 형성하는 단계; 및상기 전극 간 절연층의 상단에 브릿지를 형성하고 상기 OMO 하이브리드 전극에 금속 배선을 연결하는 단계를 더 포함하는 터치 스크린 패널 제작 방법
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제2항에 있어서, 상기 전극 간 절연층은 무기물 및 유기물 소재로 구현되고, 상기 무기물 및 상기 유기물 소재는 SiOx, SiNx, MgF2, SiOxNy(여기서, x, y는 자연수) 중 적어도 하나이고, 상기 브릿지 및 상기 금속 배선은 동시에 구현되고, 상기 브릿지 및 상기 금속 배선은 동일한 두께의 금속으로 구현되고, 상기 금속은 단층 및 다층 금속층으로써 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Ag, Al/Cu, Mo/Al/Mo 중 적어도 하나인 터치 스크린 패널 제작 방법
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제2항에 있어서, 상기 패턴 삽입 계층의 굴절률은 1
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제4항에 있어서, 상기 상위 계층의 굴절률은 1
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제5항에 있어서, 상기 금속 계층의 두께는 5nm 이상 10nm 이하이고, 상기 금속 계층은 Ag 또는 Ag 합금으로 구현되고, 상기 Ag 합금은 Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd 및 Ag-Au-Cu 중 적어도 하나인 터치 스크린 패널 제작 방법
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제6항에 있어서, 상기 하위 계층의 굴절률은 2
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정전 용량 방식의 윈도우 일체형 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 정전 용량 방식의 윈도우 일체형 터치 스크린 패널은,강화 처리된 기판;상기 기판 위에서 서로 이격되도록 형성된 복수의 OMO(oxide metal oxide) 하이브리드 전극들; 및상기 OMO 하이브리드 전극들이 이격되는 사이에서 상기 기판의 상면과 접하도록 형성된 패턴 삽입 계층을 포함하되,상기 패턴 삽입 계층은 산화물을 포함하고, 상기 OMO 하이브리드 전극들 각각은 상기 기판 위에 차례로 적층된 하위 계층, 금속 계층 및 상위 계층을 포함하는 터치 스크린 패널
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제8항에 있어서, 상기 상위 계층 및 상기 패턴 삽입 계층의 상단에 형성된 전극 간 절연층;상기 전극 간 절연층의 상단에 형성된 브릿지; 및상기 OMO 하이브리드 전극에 연결된 금속 배선을 더 포함하는 터치 스크린 패널
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제9항에 있어서, 상기 전극 간 절연층은 무기물 및 유기물 소재로 구현되고, 상기 무기물 및 상기 유기물 소재는 SiOx, SiNx, MgF2, SiOxNy(여기서, x, y는 자연수) 중 적어도 하나이고, 상기 브릿지 및 상기 금속 배선은 동시에 구현되고, 상기 브릿지 및 상기 금속 배선은 동일한 두께의 금속으로 구현되고, 상기 금속은 단층 및 다층 금속층으로써 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Ag, Al/Cu, Mo/Al/Mo 중 적어도 하나인 터치 스크린 패널
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제8항에 있어서, 상기 패턴 삽입 계층의 굴절률은 1
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제11항에 있어서, 상기 상위 계층의 굴절률은 1
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제12항에 있어서, 상기 금속 계층의 두께는 5nm 이상 10nm 이하이고, 상기 금속 계층은 Ag 또는 Ag 합금으로 구현되고, 상기 Ag 합금은 Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd 및 Ag-Au-Cu 중 적어도 하나인 터치 스크린 패널
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제13항에 있어서, 상기 하위 계층의 굴절률은 2
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