맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

방열구조를 갖는 고출력 반도체 레이저

  • 기술번호 : KST2015096766
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 종래의 0.98㎛ 반도체 레이저가 고출력으로 동작할 때 발생하는 열을 효과적으로 발산시켜 반도체 레이저의 온도에 따른 발진파장 변화를 감소시키고 양자효율을 증가시켜 반도체 레이저의 특성을 향상시킨 새로운 0.98㎛ 반도체 레이저의 구조에 관한 것으로, 활성층 좌우의 빛이 유도되지 않는 영역을 식각한 다음 반도체 레이저 칩을 솔더를 이용하여 칩고정용기판에 접속하고, 칩고정용기판에 열발산을 위한 TEC를 접속한 구조를 갖는 반도체 레이저를 제조하였다.이에 의해 본 발명의 반도체 레이저는 리지(ridge) 좌우의 활성층 영역을 식각하여 열 발생의 주된 원인인 활성층과 금속층간의 거리를 좁혀준 새로운 형태의 방열구조를 제공하는 것에 의해 반도체 레이저의 효율이 향상되었다.
Int. CL H01S 3/00 (2006.01)
CPC H01S 5/02415(2013.01) H01S 5/02415(2013.01) H01S 5/02415(2013.01)
출원번호/일자 1019960062714 (1996.12.07)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0248431-0000 (1999.12.17)
공개번호/일자 10-1998-0044612 (1998.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.07)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이중기 대한민국 대전광역시 유성구
2 박경현 대한민국 대전광역시 유성구
3 조호성 대한민국 부산광역시 동래구
4 장동훈 대한민국 대전광역시 유성구
5 박철순 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209567-06
2 특허출원서
Patent Application		 1996.12.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209565-15
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209566-50
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209568-41
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209569-97
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1999.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-5109362-73
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0168809-15
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1999.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1999-5276023-83
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.08.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5307529-90
11 의견서
Written Opinion		 1999.08.26 수리 (Accepted) 1-1-1999-5307527-09
12 등록사정서
Decision to grant		 1999.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0341892-43
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

GaAs기판(1)위에 GaInAsP 완충층(2), GaInP 클래드층(3), GaInAsP 완충층(4), GaInAs/GaInAsP 활성층(5), GaInAsP 완충층(6), GaInP 클래드층(7), 식각정지를 위한 GaAs층(8), GaInP 클래드층(9), GaInAsP 완충층(10) 및 오믹접촉 형성을 위한 고농도의 GaAs 오믹층(11)이 차례로 적층되어 있으며, 상기 활성층(5)주위의 채널이 리지의 측벽으로부터 1

2 2

제1항에 있어서,

싱기 GaInP 클래드층(7)으로부터 GaAs 클래드층(3)까지 형성된 오목부의 깊이는 1㎛인 것을 특징으로 하는 방열구조를 갖는 고출력 반도체 레이저

3 3

제1항에 있어서,

상기 n측 전극(16)은 2-3㎛의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 방열구조를 갖는 고출력 반도체 레이저

4 4

제1항에 있어서,

상기 오목부는 선택습식 식각이나 건식식각을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 방열구조를 갖는 고출력 반도체 레이저

5 5

기판(1)위에 클래드층(3), 활성층(5), 클래드층(9) 및 오믹접촉 형성을 위한 오믹층(11)이 형성되어 있고, 상기 활성층(5)주위의 채널이 리지의 측벽으로부터 1

6 6

제5항에 있어서,

상기 기판은 InP 또는 GaAs, 클래드층(3, 7, 9)은 InP 또는 AlGaAs, 활성층(5)은 InGaAs/InP, InGaAs/InGaAsP 혹은 AlGaAs/GaAs 다층양자우물구조, 오믹층(11)은 InGaAs 혹은 GaAs로 형성된 것을 특징으로 하는 방열구조를 갖는 고출력 반도체 레이저

7 7

제5항에 있어서,

상기 클래드층(7)으로부터 활성층 아래 클래드층(3)까지 형성된 오목부의 폭이 10㎛, 깊이는 1㎛인 것을 특징으로 하는 방열구조를 갖는 고출력 반도체 레이저

8 8

제5항에 있어서,

상기 n측 전극(16)은 2-3㎛의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 방열구조를 갖는 고출력 반도체 레이저

9 9

제5항에 있어서,

상기 오목부는 선택습식 식각 또는 건식식각을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 방열구조를 갖는 고출력 반도체 레이저

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.