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전기화학식 가스센서 칩 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015096788
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기화학식 가스 센서 칩 및 그의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 전기화학식 가스 센서 칩은 기판, 상기 기판상에 패턴화되어 형성된 전극, 상기 패턴화된 전극을 포함하는 기판상에 형성된 프로톤 전도성을 갖는 고체 전해질막, 및 상기 고체 전해질막 상에 소수성의 마이크로다공성 멤브레인을 포함하며, 본 발명에 따른 칩 구조의 가스 센서는 구동회로와 집적이 용이하고, 고체 전해질막을 이용하기 때문에 소형화가 가능하고, 반도체 공정을 이용하기 때문에 대면적 공정을 가능하게 한다. 고체전해질, 칩, 전기화학식, 가스센서
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) G01N 27/00 (2006.01)
CPC G01N 27/4073(2013.01) G01N 27/4073(2013.01) G01N 27/4073(2013.01) G01N 27/4073(2013.01) G01N 27/4073(2013.01)
출원번호/일자 1020070059266 (2007.06.18)
출원인 한국전자통신연구원, (주)센코
등록번호/일자 10-0948893-0000 (2010.03.15)
공개번호/일자 10-2008-0050951 (2008.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20100324) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060121377   |   2006.12.04
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.18)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 (주)센코 대한민국 경기도 오산시 외삼

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문승언 대한민국 대전 유성구
2 김은경 대한민국 대전 유성구
3 이홍열 대한민국 충북 청주시 상당구
4 박종혁 대한민국 대구 동구
5 박강호 대한민국 대전 유성구
6 김종대 대한민국 대전 서구
7 민석홍 대한민국 강원 강릉시
8 정병길 대한민국 강원 횡성군
9 하승철 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 (주)센코 대한민국 경기도 오산시 외삼
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0437281-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2007-5124160-92
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0031371-72
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0040030-57
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0172317-15
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.03.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0172321-09
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5137701-66
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0313502-21
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0593065-12
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0593076-14
13 등록결정서
Decision to grant		 2010.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0010219-55
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.23 수리 (Accepted) 4-1-2010-0008176-88
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-0070616-47
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.08 수리 (Accepted) 4-1-2016-5129340-86
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번호 청구항
1 1
실리콘, 폴리카보네이트, 쿼츠, GaAs, InP, 및 유리로 이루어진 군에서 선택되는 기판; 상기 기판상에 패턴화되어 형성된 전극; 상기 패턴화된 전극을 포함하는 기판상에 형성된 프로톤 전도성을 갖는 고체 전해질막; 및 상기 고체 전해질막상에 소수성의 마이크로다공성 멤브레인을 포함하는 전기화학식 가스센서 칩
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 패턴화된 전극은 반응 전극, 상대 전극 및 기준 전극이 기판 상의 동일면 상에 형성되어 있는 것인 전기화학식 가스 센서 칩
4 4
제 1항에 있어서, 상기 패턴화된 전극은 상대 전극과 기준 전극이 기판 상의 동일면 상에 형성되어 있고, 고체 전해질막 위에 반응 전극이 형성되어 있는 것인 전기화학식 가스 센서 칩
5 5
제 3항 또는 제 4항에 있어서, 기준 전극과 상대 전극이 연결된 구조인 전기화학식 가스 센서 칩
6 6
제 1항에 있어서, 상기 전극은 은(silver), 금(gold), 백금(platinum), 로듐(rhodium), 이리듐(iridium), 루테늄(ruthenium), 팔라듐(palladium), 또는 전도성을 가진 옥사이드로부터 선택된 물질인 전기화학식 가스 센서 칩
7 7
제 1항에 있어서, 상기 프로톤 전도성을 갖는 고체 전해질막은 나피온(Nafion™)막인 전기화학식 가스 센서 칩
8 8
제 1항에 있어서, 상기 소수성의 마이크로다공성 멤브레인은 가스를 통과시키지만 이온이나 수분이 통과시킬 수 없는 마이크로 기공을 갖는 전기화학식 가스 센서 칩
9 9
기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 전극을 패턴화하여 형성하는 단계; 상기 패턴화된 전극을 포함한 기판 상에 프로톤 전도성을 갖는 고체 전해질막을 습식 공정을 통해 형성하는 단계; 및 상기 고체 전해질막 상에 소수성 마이크로다공성 멤브레인을 형성하는 단계를 포함하는 전기화학식 가스 센서 칩의 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 전극은 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정 또는 화학 증착 공정을 통해 형성되는 것인 전기화학식 가스 센서 칩의 제조방법
11 11
삭제
12 12
제 9항에 있어서, 상기 패턴화된 전극은 반응 전극, 상대 전극 및 기준 전극이 기판 상의 동일면 상에 함께 형성되는 것인 전기화학식 가스 센서 칩의 제조방법
13 13
제 9항에 있어서, 상기 패턴화된 전극은 상대 전극 및 기준 전극이 기판 상의 동일면 상에 함께 형성되고, 반응 전극이 고체 전해질막 상에 형성되는 것인 전기화학식 가스 센서 칩의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20080128285 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008128285 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.