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인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조 및 그 구조를이용한 안테나 장치 및 전자기 장치

  • 기술번호 : KST2015096794
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 공정 과정이 간단하면서도 제작 비용이 절감되고 비교적 얇은 고임피던스 표면 구조를 갖는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조 및 그 구조를 이용한 안테나 및 전자기 장치를 제공한다. 그 고임피던스 표면 구조는 제1 도전체층으로 형성된 접지층(ground layer); 접지층 상에 형성된 제1 유전체층; 및 제1 유전체층 상에 제2 도전체층 및 제2 유전체층으로 형성되고 상기 제2 도전체층이 상기 제2 유전체층을 사이에 두고 깍지낀(interdigital) 구조로 형성된 고임피던스 표면(High Impedance Surface:HIS)층;을 포함하고, 접지층 및 제2 도전체층 사이를 연결하는 비아(via) 없이 인공자기도체(Artificial Magnetic Conductor:AMC)의 특성이 구현된다.
Int. CL H01Q 1/38 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060030510 (2006.04.04)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0753830-0000 (2007.08.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070831) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.04)
심사청구항수 28

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동호 대한민국 대전 유성구
2 최재익 대한민국 대전 서구
3 심동욱 대한민국 충북 청주시 상당구
4 권종화 대한민국 대전 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0235487-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0000606-56
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0051684-74
5 의견서
Written Opinion		 2007.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0188152-28
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.03.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0188153-74
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0384823-45
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전체층으로 형성된 접지층(ground layer);상기 접지층 상에 형성된 제1 유전체층; 및상기 제1 유전체층 상에 제2 도전체층 및 제2 유전체층으로 형성되고 상기 제2 도전체층이 상기 제2 유전체층을 사이에 두고 깍지낀(interdigital) 구조로 형성된 고임피던스 표면(High Impedance Surface:HIS)층;을 포함하고,상기 접지층 및 제2 도전체층 사이를 연결하는 비아(via) 없이 인공자기도체(Artificial Magnetic Conductor:AMC)의 특성이 구현된 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
2 2
제1 항에 있어서,상기 고임피던스 표면층 상에 제3 유전체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
3 3
제1 항에 있어서,상기 고임피던스 표면 구조는 안테나에 이용되는 것을 특징으로 하는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
4 4
제3 항에 있어서,상기 고임피던스 표면 구조는 상기 안테나에 상기 고임피던스 표면층을 통해 바로 부착되거나 상기 고임피던스 표면층 상에 형성된 제3 유전체층을 통해 부착되는 것을 특징으로 하는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
5 5
제4 항에 있어서,상기 안테나와 상기 고임피던스 표면층과의 이격 거리는 수신 전자파의 파장의 1/4 이하인 것을 특징으로 하는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
6 6
제1 항에 있어서,상기 고임피던스 표면 구조는 특정 주파수에 대하여 반사파 위상 변화가 없는 부분을 가지며, 상기 특정 주파수 이하의 제1 주파수 또는 이상의 제2 주파수에 대하여, 반사파 위상변화가 90°인 자유공간 임피던스(Free Space Impedance:FSI) 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
7 7
제6 항에 있어서,상기 고임피던스 표면 구조는 상기 특정 주파수의 고차 하모닉 주파수들 각각에 대하여 반사파 위상 변화가 없는 부분을 가지며,상기 고차 하모닉 주파수들 각각에 대한 고차 제1 주파수 또는 제2 주파수에 대하여 자유공간 임피던스 특성을 가지는 특성으로 하는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
8 8
제7 항에 있어서,상기 제1 및 제2 주파수 또는 고차 제1 및 제2 주파수 사이의 간격이 상기 고임피던스 표면 구조의 주파수 대역폭 또는 고임피던스 특성이 되는 것을 특징으로 하는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
9 9
제7 항에 있어서,안테나에 상기 고임피던스 표면 구조가 부착되어,상기 안테나가 다중 대역을 가진 안테나로 이용될 수 있는 것을 특징으로 하는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
10 10
제6 항에 있어서,상기 특정 주파수, 제1 및 제2 주파수는 상기 고임피던스 표면층의 제2 도전체층 및 제1, 제2 유전체층의 두께, 전기적 특성, 제2 도전체층의 깍지낀 반복 횟수, 깍지낀 길이, 깍지낀 간격 및 제2 도전체층의 폭 중 적어도 하나에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
11 11
제1 항에 있어서,상기 고임피던스 표면층은 상기 제2 도전체층과 제2 유전체층으로 형성된 동일 패턴의 단위 셀을 다수 포함하는 것을 특징으로 하는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
12 12
제11 항에 있어서,상기 단위 셀은 전체적으로 정사각형의 수평 단면을 가지며,각 꼭짓점에 대각선 방향으로 대각선 길이의 1/4 지점에 상기 제2 유전체층의 4 가닥의 성분이 만(卍)자 또는 우만(나치 문양)자 형태로 결합된 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
13 13
제12 항에 있어서,상기 만자 형태는 상기 단위 셀의 제1 대각선 내에 2개 형성되고 상기 우만자는 상기 단위 셀의 제2 대각선 내에 2개 형성되며,상기 제2 유전체층의 각 성분은 상기 만자 또는 우만자 형태 결합점에서 상하좌우로 맥놀이(beat) 파형의 형태로 퍼져나가고,상기 각각의 맥놀이 파형은 상기 정사각형의 네 변의 부분에서 가장 큰 진폭을 가지며 상기 만자 및 우만자 형태 결합점 사이에서는 한 주기가 완성되며, 상기 제2 유전체층의 각 성분의 패턴은 상기 결합점을 기준으로 점대칭의 형태로 형성되며,상기 맥놀이 파형은 상기 결합점 사이의 한 주기에서 적어도 3개의 골(crest) 또는 마루(trough)를 가지는 것을 특징으로 하는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
14 14
제13 항에 있어서,상기 맥놀이 파형 형태는 일정길이 이하의 폭을 가진 직선 형태의 상기 제2 유전체층의 각 성분들이 직각 형태로 굴곡되어 형성되되,상기 골 또는 마루 각각에서 동일 방향으로 두 번 굴곡되어 골 또는 마루를 형성하는 부분은 평행한 2 겹의 제2 유전체층 기둥 형태를 가지며상기 골 및 마루 사이의 중간 부분 각각에서 반대 방향으로 두 번 굴곡되어 상기 골 및 마루 사이의 중간 부분에서는 변곡 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
15 15
제13 항에 있어서,상기 맥놀이 파형 형태는 일정길이 이하의 폭을 가진 직선 형태의 상기 제2 유전체층의 각 성분들이 직각 형태로 굴곡되어 형성되되, 골 또는 마루 중간에 적어도 하나의 요철을 포함하며, 상기 직각 형태의 굴곡은 상기 골, 마루 또는 요철 부분 각각에서 동일 방향으로 두 번 굴곡되고, 상기 골 및 마루 사이의 중간 부분 각각에서 반대 방향으로 두 번 굴곡되는 것을 특징으로 하는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
16 16
제1 도전체층으로 형성된 접지층(ground layer);상기 접지층 상에 형성된 제1 유전체층; 및상기 제1 유전체층 상에 제2 도전체층 및 제2 유전체층으로 형성되고 상기 제2 도전체층이 상기 제2 유전체층을 사이에 두고 깍지낀(interdigital) 구조로 형성된 고임피던스 표면(High Impedance Surface:HIS)층;을 포함하고,상기 고임피던스 표면층은 동일 패턴의 정사각형의 수평 단면을 가진 단위 셀들로 이루어지고 상기 단위 셀은 각 꼭짓점에서 대각선 방향으로 대각선 길이의 1/4 지점에 상기 제2 유전체층의 4 가닥의 성분이 만(卍)자 또는 우만(나치 문양)자 형태로 결합된 패턴을 가지며, 상기 만자 형태는 상기 단위 셀의 제1 대각선 내에 2개 형성되고 상기 우만자는 상기 단위 셀의 제2 대각선 내에 2개 형성되며,상기 제2 유전체층의 각 성분은 상기 만자 또는 우만자 형태 결합점에서 상하좌우로 맥놀이(beat) 파형의 형상으로 퍼져나가면서 상기 각각의 맥놀이 파형이 상기 정사각형의 네 변의 부분에서 가장 큰 진폭을 가지며, 상기 만자 및 우만자 형태 결합점 사이에서 한 주기가 완성되는 형태로 패턴이 형성되며,상기 제2 유전체층의 각 성분의 패턴은 상기 결합점을 기준으로 점대칭의 형태로 형성되며,상기 맥놀이 파형 형태는 일정길이 이하의 폭을 가진 직선 형태의 상기 제2 유전체층의 각 성분들이 직각 형태로 굴곡되어 상기 결합점 사이의 한 주기에서 적어도 3개의 골(crest) 또는 마루(trough)를 가지며, 상기 제2 도전체층과 상기 접지층 사이에 비아가 형성되어 인공자기도체(Artificial Magnetic Conductor:AMC)의 특성이 구현된 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
17 17
제16 항에 있어서,상기 직각 형태의 굴곡은 상기 골 또는 마루 부분 각각에서 동일 방향으로 두 번 굴곡되고 상기 골 및 마루 사이의 중간 부분 각각에서 반대 방향으로 두 번 굴곡되는 것을 특징으로 하는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
18 18
제16 항에 있어서,상기 맥놀이 파형의 골 또는 마루는 2 겹의 제2 유전체층으로 형성되되, 골 또는 마루 중간에 적어도 하나의 요철을 포함하며, 상기 직각 형태의 굴곡은 상기 골, 마루 또는 요철 부분 각각에서 동일 방향으로 두 번 굴곡되고, 상기 골 및 마루 사이의 중간 부분 각각에서 반대 방향으로 두 번 굴곡되는 것을 특징으로 하는 인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조
19 19
제1 항 또는 제16 항에 있어서,회로기판 상에 발생되는 전자기파에 의한 전자방해(Electromagnetic Interference:EMI)을 방지하기 위하여,상기 고임피던스 표면 구조가 회로 기판에 이용되는 것을 특징으로 하는 인공자기 도체를 이용한 고임피던스 표면구조
20 20
제1 항 또는 제16 항의 고임피던스 표면 구조: 및상기 고임피던스 표면 구조 상부로 부착된 안테나;를 포함하는 고임피던스 표면 구조를 이용한 안테나 장치
21 21
제20 항에 있어서,상기 고임피던스 표면 구조가 상기 안테나에 상기 고임피던스 표면층을 통해 바로 부착되거나, 상기 고임피던스 표면층 상에 형성된 제3 유전체층을 통해 부착되는 것을 특징으로 하는 고임피던스 표면 구조를 이용한 안테나 장치
22 22
제21 항에 있어서,상기 고임피던스 표면 구조는 상기 안테나에 평행으로 부착되고,상기 안테나와 상기 고임피던스 표면층과의 이격 거리는 수신 전자파의 파장의 1/4 이하인 것을 특징으로 하는 고임피던스 표면 구조를 이용한 안테나 장치
23 23
제20 항에 있어서,상기 안테나는 알에프아이디(Radio Frequency Identification:RFID) 시스템의 태그 안테나인 것을 특징으로 하는 고임피던스 표면 구조를 이용한 안테나 장치
24 24
제20 항에 있어서,상기 안테나는 상기 고임피던스 표면 구조에 의해 대역 주파수가 결정되는 것을 특징으로 하는 고임피던스 표면 구조를 이용한 안테나 장치
25 25
제20 항에 있어서,상기 고임피던스 표면 구조는 특정 주파수에 대하여, 반사파 위상 변화가 없는 부분을 가지며, 상기 특정 주파수 이하의 제1 주파수 또는 이상의 제2 주파수에 대하여, 반사파 위상변화가 90°인 자유공간 임피던스(Free Space Impedance:FSI) 특성을 가지며, 상기 안테나에 상기 고임피던스 표면 구조가 부착되어상기 안테나가 다중 대역을 가진 다중 대역 안테나가 되는 것을 특징으로 하는 고임피던스 표면 구조를 이용한 안테나 장치
26 26
제1 항 또는 제16 항의 고임피던스 표면 구조를 이용하여 제작된 전자기 장치
27 27
제26 항에 있어서,상기 전자기 장치는 고임피던스 특성이 요구되는 전자기 장치인 것을 특징으로 하는 고임피던스 표면 구조를 이용하여 제작된 전자기 장치
28 28
제27 항에 있어서,상기 고임피던스 특성은 특정 주파수에서 상기 고임피던스 표면층으로 전류가 흐를 수 없는 자기도체의 특성인 것을 특징으로 하는 고임피던스 표면 구조를 이용하여 제작된 전자기 장치
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1 US20090201220 US 미국 FAMILY
2 WO2007114554 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 US2009201220 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2007114554 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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