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나노입자가 충진된 상반전 고분자 전해질 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015096903
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노입자(nano-particle)가 충진된 상반전(phase inversion) 고분자 전해질 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 고분자 매트릭스(polymer matrix)와 무기 충진제를 용매에 용해시켜 만든 슬러리(slurry)를 캐스팅(casting)한 직후 즉시 흐르는 물 속에 함침하여 내부 기공이 크게 발달된 다공성 고분자 막 형성하고, 고분자 막에 전해액을 함침시켜 고분자 전해질을 제조한다. 이에 따라, 고용량 소형 리튬(Li) 2차전지에 적용하여 우수한 전지 특성을 얻을 수 있는 고분자 전해질을 제공할 수 있다. 리튬 2차전지, 충진, 캐스팅, 상반전 기법, 폴리머 매트릭스
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01M 10/0565 (2011.01) H01M 10/058 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020040072466 (2004.09.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0628305-0000 (2006.09.19)
공개번호/일자 10-2006-0023674 (2006.03.15) 문서열기
공고번호/일자 (20060927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.09.10)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광만 대한민국 대전광역시 유성구
2 이영기 대한민국 대전 서구
3 박남규 대한민국 대전 유성구
4 장순호 대한민국 대전 유성구
5 류광선 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2004-0411088-66
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0083193-17
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.04.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0241321-92
4 의견서
Written Opinion		 2006.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0241320-46
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0449793-86
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
나노입자의 무기 충진제 및 고분자를 용매에 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계;상기 슬러리를 캐스팅(casting)하여 캐스팅된 막을 형성하는 단계;상기 캐스팅된 막을 소정의 유속을 갖는 물 속에 함침시켜 상반전 기법으로 상기 캐스팅된 막에 내부 기공을 발달시킴으로써 무기 나노입자가 충진된 다공성 고분자막을 형성하는 단계; 및 상기 무기 나노입자가 충진된 다공성 고분자막에 전해액을 함침시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 고분자는 비닐리덴플루오라이드(VdF) 중합체 또는 비닐리덴플루오라이드(VdF)와 헥사플루오로프로필렌(HFP)의 공중합체의 분말로서 상기 용매에 투입되고 밀링(milling)되어 혼합되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 충진제는 상기 고분자의 상기 용매에의 투입 이전에 실리카 또는 타이타니아 나노입자로서 상기 용매에 분산되는 것을 특징으로 고분자 전해질 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 용매는 N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone:NMP)을 포함하여 사용되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 충진제는 실리카 나노입자로서 상기 용매로서의 N-메틸-2-피롤리돈 (N-methyl-2-pyrrolidone)에 대략 5 내지 50 중량% 첨가되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 제조 방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 충진제는 타이타니아 나노입자로서 상기 용매로서의 N-메틸-2-피롤리돈 (N-methyl-2-pyrrolidone)에 대략 4 내지 60 중량% 첨가되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 용매는 디메틸아세트아마이드(dimethylacetamide)를 포함하여 사용되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 충진제는 실리카 나노입자로서 상기 용매로서의 디메틸아세트아마이드(dimethylacetamide)에 대략 5 내지 50 중량% 첨가되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 제조 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 충진제는 타이타니아 나노입자로서 상기 용매로서의 디메틸아세트아마이드(dimethylacetamide)에 대략 30 내지 60 중량% 첨가되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 제조 방법
10 10
삭제
11 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07771879 US 미국 FAMILY
2 US20060057464 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2006057464 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7771879 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.