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적층형 가변 인덕터

  • 기술번호 : KST2015096909
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판상에 M(M≥2)개의 금속층을 적층하여 제조하는 적층형 가변 인덕터에 관한 것으로, 서로 다른 N(N≤M)개의 금속층에 형성되어, 연속적으로 직렬 접속되어 있는 N개의 인덕터와, N개의 인덕터 중 최상층의 인덕터와 최하층의 인덕터 각각에 접속된 제 1 및 제 2 포트와, 적어도 하나의 스위칭 소자를 포함하여 구성하되, 적어도 하나의 스위칭 소자의 일단자는 포트 중 하나와 연결되고, 타단자는 N개의 인덕터들 사이의 이웃하는 직렬 접속 단자들 중 하나에 연결되는 적층형 가변 인덕터를 제공한다.RF CMOS 기술, 가변 인덕터, 적층형 가변 인덕터, 다층메탈
Int. CL H01L 27/04 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020070287 (2002.11.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0466542-0000 (2005.01.06)
공개번호/일자 10-2004-0042130 (2004.05.20) 문서열기
공고번호/일자 (20050115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.11.13)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김천수 대한민국 대전광역시유성구
2 박필재 대한민국 대전광역시유성구
3 박문양 대한민국 대전광역시유성구
4 유현규 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2002-0374153-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0029697-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0213646-91
5 의견서
Written Opinion		 2004.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0341035-82
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0341033-91
7 등록결정서
Decision to grant		 2004.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0558566-83
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반도체 기판 상에 M(M≥2)개의 금속층을 적층하여 제조하는 적층형 가변 인덕터에 있어서,

서로 다른 N(N≤M, N≥2)개의 금속층에 형성되어, 연속적으로 직렬 접속되어 있는 제 1 내지 제 N 인덕터;

상기 제 1 내지 제 N 인덕터 중 최상층의 인덕터와 최하층의 인덕터 각각에 접속된 제 1 및 제 2 포트; 및

적어도 하나의 스위칭 소자를 포함하여 구성되되,

상기 적어도 하나의 스위칭 소자의 일단자는 상기 포트 중 하나와 연결되고, 타단자는 상기 제 1 내지 제 N 인덕터 사이의 이웃하는 직렬 접속 단자들 중 하나에 연결되는 것을 특징으로 하는 적층형 가변 인덕터

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 적층된 금속층은 CMOS 기술을 이용하여 적층하고, 상기 스위칭 소자는 MOSFET인 것을 특징으로 하는 적층형 가변 인덕터

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 N은 2 이상 4 미만인 것을 특징으로 하는 적층형 가변 인덕터

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 N 인덕터 중 적어도 어느 2개의 인덕터의 권수를 서로 각각 다르게 구성하는 것을 특징으로 하는 적층형 가변 인덕터

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 스위칭 소자의 ON/OFF를 통하여 직렬 연결된 상기 제 1 내지 제 N 인덕터 전체의 인덕턴스가 가변되도록 구성하는 것을 특징으로 하는 적층형 가변 인덕터

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 N 인덕터의 권수 각각은 기판하부에서 상부방향으로 점차로 감소하거나, 점차로 증가시키는 것을 특징으로 하는 적층형 가변 인덕터

7 7

제 1 항에 있어서, 상기 M은 3이상이고, 상기 N은 3인 경우, 스위칭 소자는 제 1 스위칭 소자 및 제 2 스위칭 소자로 구성하되,

상기 제 1 스위칭 소자의 일단자는 상기 포트 중 하나와 연결되고, 타단자는 상기 제 1 과 제 2 인덕터 사이의 직렬 접속 단자에 접속되고,

상기 제 2 스위칭 소자의 일단자는 상기 제 1 스위칭 소자가 연결된 상기 포트와 연결되고, 타단자는 상기 제 2 과 제 3 인덕터 사이의 직렬 접속 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 적층형 가변 인덕터

8 8

제 1 항에 있어서, 상기 M은 3이상이고, 상기 N은 3인 경우, 스위칭 소자는 제 1 스위칭 소자 및 제 2 스위칭 소자로 구성하되,

상기 제 1 스위칭 소자의 일단자는 상기 포트 중 하나와 연결되고, 타단자는 상기 제 1 과 제 2 인덕터 사이의 직렬 접속 단자에 접속되고,

상기 제 2 스위칭 소자의 일단자는 상기 제 1 과 제 2 인덕터 사이의 직렬 접속 단자에 접속되고, 타단자는 상기 제 2 과 제 3 인덕터 사이의 직렬 접속 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 적층형 가변 인덕터

9 9

제 1 항에 있어서, 상기 적층형 가변 인덕터에는 900MHz, 1

10 10

제 1 항에 있어서, 상기 적층형 가변 인덕터는 2GHz 이상의 동작 주파수에서 동작하는 것을 특징으로 하는 적층형 가변 인덕터

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1 US06992366 US 미국 FAMILY
2 US20040140528 US 미국 FAMILY

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1 US2004140528 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6992366 US 미국 DOCDBFAMILY
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