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플립 칩 본딩방법

  • 기술번호 : KST2015096914
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플립 칩 본딩방법에 관한 것으로, 반도체 칩의 패드 상에 금속범프를 형성하는 단계와, 상기 금속범프의 말단에 소정두께의 전도성 접착제를 형성하는 단계와, 열 접합공정을 통해 상기 반도체 칩을 미리 마련된 반도체 기판의 패드에 접합시키는 단계를 포함함으로써, 원가가 절감되고 공정이 간편해질 뿐만 아니라 열 방출이 원활하게 할 수 있는 효과가 있다.플립 칩, 반도체 기판, 반도체 칩, 전도성 접착제, 실버 에폭시, 이방 전도성 필름(ACF), 금속범프
Int. CL H01L 21/60 (2006.01) H01L 23/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020050027862 (2005.04.04)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0696190-0000 (2007.03.12)
공개번호/일자 10-2006-0067080 (2006.06.19) 문서열기
공고번호/일자 (20070320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020040105803   |   2004.12.14
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.04.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주철원 대한민국 대전 유성구
2 민병규 대한민국 대전 유성구
3 이종민 대한민국 대전 유성구
4 김성일 대한민국 대전 서구
5 강영일 대한민국 대전 유성구
6 이경호 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2005-0175790-64
2 출원심사청구서
Request for Examination
2005.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2005-0175851-51
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0037262-64
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0443933-42
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.09.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0713115-86
7 의견서
Written Opinion
2006.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0713117-77
8 등록결정서
Decision to grant
2007.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0104574-82
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 반도체 칩의 패드 상에 금속범프를 형성하는 단계;(b) 상기 금속범프의 말단에 소정두께의 전도성 접착제를 형성하는 단계; 및(c) 열 접합공정을 통해 상기 반도체 칩을 미리 마련된 반도체 기판의 패드에 접합시키는 단계를 포함하여 이루어진 플립 칩 본딩방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 칩의 패드와 상기 금속범프의 사이에 접착성을 향상시키기 위하여 티탄(Ti) 및 금(Au)을 순차적으로 적층시킨 씨드금속층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 금속범프는 솔더(Solder) 또는 금(Au) 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 금속범프는 웨이퍼 레벨 패키지(WLP) 또는 스터드(Stud) 범프 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 전도성 접착제는 실버 에폭시 또는 이방 전도성 필름(ACF)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 전도성 접착제의 두께는 상기 금속범프의 두께보다 작게 부착시키는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 전도성 접착제는 20 내지 60㎛ 두께범위로 부착되는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 열 접합공정은 230 내지 270℃ 온도범위에서 열을 가하여 실시하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 열 접합공정은 180 내지 220℃ 온도범위에서 열을 가한 후, 소정의 초음파 마찰열을 가하여 실시하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.