1 |
1
(a) 반도체 칩의 패드 상에 금속범프를 형성하는 단계;(b) 상기 금속범프의 말단에 소정두께의 전도성 접착제를 형성하는 단계; 및(c) 열 접합공정을 통해 상기 반도체 칩을 미리 마련된 반도체 기판의 패드에 접합시키는 단계를 포함하여 이루어진 플립 칩 본딩방법
|
2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 칩의 패드와 상기 금속범프의 사이에 접착성을 향상시키기 위하여 티탄(Ti) 및 금(Au)을 순차적으로 적층시킨 씨드금속층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩방법
|
3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 금속범프는 솔더(Solder) 또는 금(Au) 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩방법
|
4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 금속범프는 웨이퍼 레벨 패키지(WLP) 또는 스터드(Stud) 범프 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩방법
|
5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 전도성 접착제는 실버 에폭시 또는 이방 전도성 필름(ACF)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩방법
|
6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 전도성 접착제의 두께는 상기 금속범프의 두께보다 작게 부착시키는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩방법
|
7 |
7
제 6 항에 있어서, 상기 전도성 접착제는 20 내지 60㎛ 두께범위로 부착되는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩방법
|
8 |
8
제 1 항에 있어서, 상기 열 접합공정은 230 내지 270℃ 온도범위에서 열을 가하여 실시하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩방법
|
9 |
9
제 1 항에 있어서, 상기 열 접합공정은 180 내지 220℃ 온도범위에서 열을 가한 후, 소정의 초음파 마찰열을 가하여 실시하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩방법
|